• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Преобразователи с многослойным чувствительным элементом

Преобразователи с многослойным чувствительным элементом
Результаты экспериментальных исследований показали, что относительное магнетосопротивление ∆p/р многослойных пленок NiFe/CoFeB зависит от термического отжига. Такие пленки обладают гигантским магнетосопротивлением, и их можно использовать для изготовления магниторезистивных элементов для воспроизведения информации, записанной с поверхностной плотностью не менее 7,75 Мбит/мм2.

Методом магнетронного напыления осаждались тонкопленочные образцы с двумя разновидностями многослойных структур: NiFe/CoFeB/Cu/CoFeB/NiFe/FeMn и NiO/NiFe/CoFeB/Cu/CoFeB/ NiFe.

Образцы напылялись на стеклянные подложки во внешнем постоянном магнитном поле напряженностью около 6,3 кА/м. Основное давление при напылении составляло не более 5*10-5 Па. Антиферромагнитный слой NiO осаждался при давлении 0,06 Па. Напыление осуществлялось в атмосфере аргона при давлении 0,3 Па. Тонкопленочные образцы подвергались термическому отжигу в течение трех часов во внешнем магнитном поле напряженностью 198 кА/м, приложенном вдоль оси легкого намагничивания отжигаемых образцов.

На рис. 6.4 представлены зависимости относительного магнетосопротивления ∆р/р от температуры отжига Г для тонкопленочных образцов с разной многослойной структурой:
NiFe (3,5 HM)/CoFe(4,0 нм)/Сu(3,2 HM)/CoFe(4,0 HM)/FeMn (10 нм) - образцы а;
NiFe (3,5 HM)/CoFeB(4,0 нм)/Сu(3,3 HM)/CoFeB(3,0 нм)/ NiFe(1,0 HM)/FeMn(10 нм) со слоем CoFeB с 10%-ным содержанием В - образцы в;
NiO (50 HM)/CoFeB(4,0 нм)/Сu(3,2 HM)/CoFeB(2,0 HM)/NiFe(5,5 нм)/Та(10 нм) со слоем CoFeB с 5%-ным содержанием В - образцы с.

Относительное магнетосопротивление заметно изменяется с повышением температуры отжига Г для образцов а - Ар/р монотонно уменьшается примерно от 7 до 1% при увеличении Ta до 300 °С (рис. 6.4, кривая T). В то же время для образцов в при Ta = 250 °С наблюдается максимальное ∆р/р около 5% (рис. 6.4, кривая 2).



Рис. 6.4. Влияние термического отжига на относительное магнетосопротивление тонкопленочных образцов с различной многослойной структурой

Образцы с характеризуются самым большим относительным магнетосопротивлением - примерно 8%, и оно не существенно меняется с возрастанием температуры отжига от 200 до 280 °С (см. рис.
6.4, кривая 3).

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее