• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Преобразователи с многослойным чувствительным элементом

Преобразователи с многослойным чувствительным элементом
Результаты экспериментальных исследований показали, что относительное магнетосопротивление ∆p/р многослойных пленок NiFe/CoFeB зависит от термического отжига. Такие пленки обладают гигантским магнетосопротивлением, и их можно использовать для изготовления магниторезистивных элементов для воспроизведения информации, записанной с поверхностной плотностью не менее 7,75 Мбит/мм2.

Методом магнетронного напыления осаждались тонкопленочные образцы с двумя разновидностями многослойных структур: NiFe/CoFeB/Cu/CoFeB/NiFe/FeMn и NiO/NiFe/CoFeB/Cu/CoFeB/ NiFe.

Образцы напылялись на стеклянные подложки во внешнем постоянном магнитном поле напряженностью около 6,3 кА/м. Основное давление при напылении составляло не более 5*10-5 Па. Антиферромагнитный слой NiO осаждался при давлении 0,06 Па. Напыление осуществлялось в атмосфере аргона при давлении 0,3 Па. Тонкопленочные образцы подвергались термическому отжигу в течение трех часов во внешнем магнитном поле напряженностью 198 кА/м, приложенном вдоль оси легкого намагничивания отжигаемых образцов.

На рис. 6.4 представлены зависимости относительного магнетосопротивления ∆р/р от температуры отжига Г для тонкопленочных образцов с разной многослойной структурой:
NiFe (3,5 HM)/CoFe(4,0 нм)/Сu(3,2 HM)/CoFe(4,0 HM)/FeMn (10 нм) - образцы а;
NiFe (3,5 HM)/CoFeB(4,0 нм)/Сu(3,3 HM)/CoFeB(3,0 нм)/ NiFe(1,0 HM)/FeMn(10 нм) со слоем CoFeB с 10%-ным содержанием В - образцы в;
NiO (50 HM)/CoFeB(4,0 нм)/Сu(3,2 HM)/CoFeB(2,0 HM)/NiFe(5,5 нм)/Та(10 нм) со слоем CoFeB с 5%-ным содержанием В - образцы с.

Относительное магнетосопротивление заметно изменяется с повышением температуры отжига Г для образцов а - Ар/р монотонно уменьшается примерно от 7 до 1% при увеличении Ta до 300 °С (рис. 6.4, кривая T). В то же время для образцов в при Ta = 250 °С наблюдается максимальное ∆р/р около 5% (рис. 6.4, кривая 2).



Рис. 6.4. Влияние термического отжига на относительное магнетосопротивление тонкопленочных образцов с различной многослойной структурой

Образцы с характеризуются самым большим относительным магнетосопротивлением - примерно 8%, и оно не существенно меняется с возрастанием температуры отжига от 200 до 280 °С (см. рис.
6.4, кривая 3).

Компьютерная сеть

Возможности персонального компьютера существенно расширяются за счет использования компьютерных сетей...

читать далее

Перспективные технологии

До недавнего времени микроэлектронная технология основывалась на удалении лишнего материала из заготовки подобно тому...

читать далее

Транзистор в виде атомного реле

Весьма интересна идея создания своеобразного транзистора в виде атомного реле, основанная на том, что минимальными...

читать далее