• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Рентгеноструктурный анализ преобразователя с многослойным элементом

Рентгеноструктурный анализ показал, что слои CoFeB обладают (Ш)-текстурой с характерной гранецентрированной кубической структурой, формирование которой в значительной степени зависит от кристаллографической структуры нижних тонкопленочных слоев.

Многослойные образцы обладают превосходными свойствами магнитомягкого материала со спиновой блокировкой. Их кривые перемагничивания свидетельствуют о наличии наведенной одноосной анизотропии. Поле анизотропии, например, для многослойного образца Ta(5,0HM)/NiFe(4,5HM)/CoFeB(3,0HM) составляет 736 А/м, а его коэрцитивная сила 182 А/м. Это означает, что такой тонкопленочный материал можно использовать для изготовления магнитных головок накопителей с высокой плотностью записи.
Высокочувствительный элемент из этого материала был включен в комбинированный преобразователь, содержащий тонкопленочные элементы для записи информации. Магнитопровод, состоящий из тонкопленочных элементов для записи, изготавливался из многослойного материала FeZrN(0,5мкм)/Al2O3(0,02 мкм)/NiРе(3,5мкм). Магнитная индукция насыщения тонкопленочного слоя FeZrN составляла 1,8 Тл, а удельное электрическое сопротивление - около 60 мкОм*см. Данный слой формировался ионно-плазменным напылением. Величина рабочего зазора между полюсными наконечниками магнитопровода равнялась 0,28 мкм.

Высокочувствительный воспроизводящий элемент рассматриваемого тонкопленочного преобразователя имел многослойную структуру:
NiO(40 HM)/NiFe(1,0 HM)/CoFeB(1,0 HM)/Cu(3,2HM)/CoFeB(2,0 нм)/ NiFe(5,5 нм)/Та(10 нм).
Материал слоя CoFeB содержал 5% В.

Доменная структура воспроизводящего элемента стабилизировалась с помощью магнитных слоев CoCrPt, осажденных в его краевых областях. Магнитное экранирование осуществлялось с помощью напыленного FeN и электроосажденного NiFe слоев, промежуток между которыми составлял 0,18 мкм. Относительное магнетосопротивление высокочувствительного элемента - около 5,7%. Напряженность обменного поля слоев после термического отжига достигала примерно 27,7 кА/м. Коэрцитивная сила двухслойного элемента вдоль оси легкого намагничивания не превышала 633 А/м.

Процесс записи-воспроизведения осуществлялся на магнитном диске с тонкопленочным рабочим слоем CoCrPtTaNb с коэрцитивной силой 205,9 кА/м.

На рис. 6.5 показано, как уровень сигнала воспроизведения Е возрастает по линейному закону примерно до 1 мВ с увеличением задающего тока Is до 5 мА.

Характер зависимости Е=f(Is) почти не меняется при изменении направления задающего тока на обратное. Наблюдалась стабильная форма сигнала, т.е. без искажений, вызванных шумом Баркгаузена. Эффективная ширина дорожки воспроизведения составляла около 1 мкм. При этом приведенный к ширине дорожки уровень сигнала воспроизведения был достаточно высок - примерно 1 мВ/мкм.

Уровень сигнала воспроизведения Е, составляющий приблизительно 1 мВ, незначительно изменялся при увеличении линейной плотности записи D вплоть до 4000 бит/мм (рис. 6.6). С возрастанием линейной плотности записи до 8000 бит/мм уровень сигнала воспроизведения оставался достаточно высоким и составил примерно 0,4 мВ.

С помощью комбинированного тонкопленочного преобразователя с эффективной дорожкой воспроизведения, составляющей 0,68 мкм, с применением модифицированного кодирования удалось повысить поверхностную плотность записи до 12 Мбит/мм2. При этом частота следования ошибок при воспроизведении информации, записанной с такой сравнительно высокой плотностью, оставалась в допустимых пределах.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее