• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Испытания головок со спин-вентильным переходом

Проведенные испытания магниторезистивной головки с многослойным чувствительным элементом со спин-вентильным переходом показали, что на магнитном носителе информации с высокой плотностью можно получить сигнал воспроизведения, превосходящий по уровню сигнал магниторезистивной головки с обычным



Рис. 6.6. Характеристика плотности записи информации

анизотропным чувствительным элементом. Магниторезистивный элемент шириной 2 мкм и высотой 1 мкм формировался магнетрон- ным способом. Его многослойная структура: Та(5 HM)/NiFe(10 нм)/ Сu(2,5 нм)/Со(2,2 HM)/FeMn(11 нм).

Тонкопленочные преобразователи с более простой многослойной структурой магниторезистивного элемента, состоящего из магнитных пермаллоевых слоев NiFe, разделенных прослойками Ag, характеризуются сравнительно высоким уровнем сигнала воспроизведения, примерно на порядок превосходящим уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей, чувствительный элемент которых выполнен из традиционных материалов NiFe и NiFeCo, т.е. материалов, обладающих анизотропией магнетосопротивления.

Многослойные магниторезистивные элементы (81 %Ni, 19% Fe/Ag) осаждались на плоскость (100) монокристаллической подложки. Толщина магнитных и немагнитных слоев элементов, при которой их термостабильность и магнетосопротивление максимальны, равна соответственно 1,2 и 1,1 нм. В магнитном поле насыщения напряженностью < 24 кА/м относительное магнетосопротивление составляло около 17%. Кривая зависимости электрического сопротивления R от напряженности Н магнитного поля имеет сравнительно большой линейный участок. Чувствительность, определяемая отношением (∆R/R)/H, равна около 0,7%/(кА/м).

Память человека и память ЭВМ

Память - несомненно, один из важнейших атрибутов человека. Развитый, утонченный и вместе с тем изощренный аппарат...

читать далее

Для формирования элементов шириной менее 0,12 мкм предпочтительна проекционная ионно-пучковая литография...

читать далее

Использование фотонного кристалла для создания компьютера

Практической основой, на которой в будущем, по-видимому, будут реализованы все компоненты фотонного компьютера...

читать далее


sto-otk.ru