• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Чувствительность магниторезистивных элементов

Чувствительность магниторезистивных элементов
При разработке современных высокочувствительных приборов, относящихся к высококлассной технике эксперимента, а также приборов и устройств другого назначения особое внимание уделяется тонкопленочным преобразователям, основанным на магниторезистивном эффекте, применение которых позволяет существенно улучшить технические характеристики приборов.

Чувствительность магниторезистивных преобразователей определяется отношением (∆р/р)/Н, где Н - напряженность поля насыщения магниторезистивного элемента; ∆р/р - относительное магнетосопротивление.

Обычные ферромагнитные материалы позволяют реализовать сравнительно высокую чувствительность магниторезистивных преобразователей: она составляет около 5%/(кА/м). Однако интервал изменения напряженности магнитного поля, который могут регистрировать подобные преобразователи, относительно небольшой - всего лишь примерно 400 А/м. Поэтому для приборостроителей, занимающихся разработкой высокочувствительных магниторезистивных преобразователей, новые тонкопленочные материалы с лучшими свойствами и, в частности, гигантским магнетосопротивле- нием представляют практический интерес.

Опыт показывает, что большинство тонкопленочных материалов, даже с гигантским магнетосопротивлением, не позволяет существенно повысить чувствительность: сравнительно большой величины относительное магнетосопротивление таких материалов достигает в довольно сильном магнитном поле. Например, достаточно большая величина относительного магнетосопротивления многослойного материала Со/Сu - около 60% - реализуется в магнитном поле напряженностью, приблизительно равной 160 кА/м. Чувствительность изготовленного из такого материала магниторезистивного элемента не больше 4*10-4%(А/м), что примерно на порядок меньше, чем для традиционных магниторезистивных элементов. Однако экспериментальные результаты, полученные сравнительно недавно, обнадеживают: при уменьшении антиферромагнитного взаимодействия между магнитными слоями многослойного магниторезистивного элемента существенно повышается его чувствительность. Есть разные способы ослабления антиферромагнитного взаимодействия. Наиболее простой из них заключается в увеличении толщины немагнитных прослоек. Так, при их толщине около 2,5 нм, соответствующей второму максимуму толщинной зависимости ∆р/р=f(τ) для многослойных пленок Со/Сu, напряженность магнитного поля насыщения уменьшается до 40 кА/м, т.е. в 4 раза, следовательно, во столько же раз повышается и чувствительность. Дальнейшее уменьшение поля насыщения возможно при осаждении многослойной пленки на кристаллическую поверхность монокристаллической подложки.

Мультимедийная среда

В 90-е годы XX в. на базе персональных компьютеров созданы мультимедийные системы. Мультимедиа - это объединение нескольких...

читать далее

Понятие литографии

Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины...

читать далее

Попытки создания квантового компьютера

Основные проблемы создания квантового компьютера вытекают из его природы: чтобы решить какую-либо задачу, необходимо...

читать далее