• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Чувствительность многослойных элементов

Чувствительность магниторезистивного элемента из многослойного материала с комбинированной анизотропией чрезвычайно высока: она составляет около 18%/(кА/м), что превосходит аналогичный показатель элемента из других материалов. Для сравнения следует указать, что чувствительность обычного анизотропного магниторезистивного элемента всего 2-5 %/(кА/м). Магнитная проницаемость рассматриваемого многослойного материала находится в пределах от 2000 до 6000. Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивного элемента с комбинированной анизотропией примерно в 10-14 раз больше уровня обычного элемента из анизотропного материала.

Экспериментальные исследования показывают, что сравнительно высокая чувствительность - около 8,8%/(кА/м) - может быть достигнута для магниторезистивных преобразователей с чувствительным элементом с относительно простой многослойной структурой, включающей три слоя: два магнитных и медный: 90% Со, 10% Fe(l,5 нм)/65%№, 15%Fe,20%Co(4,0 нм). Эти слои осаждались на слой SiN, нанесенный на кремниевую подложку. Исследовались элементы длиной 10 мкм и шириной 1 мкм. В их продольном направлении ориентировась ось легкого намагничивания, при этом поле анизотропии небольшое (400 А/м). При задающем токе, равном 2,5 мА, напряжение, снимаемое с магниторезистивного элемента, составляло около 1,6 мВ на 1 мкм длины элемента. При этом с увеличением выходного сигнала до 1 мВ магниторезистивная характеристика близка к линейной.

При изготовлении высокочувствительного магниторезистивного преобразователя для регистрации магнитного поля использовался магнитный материал с гигантским магнетосопротивлением, составляющим от 10 до 20% в магнитном поле от 4,8 до 24 кА/м. Магниторезистивный элемент такого преобразователя состоит из двух слоев CoFe толщиной 1-1,5 нм и расположенного между ними слоя CoNiFe несколько большей толщины (2-4 нм). Между магнитными слоями формировались медные прослойки толщиной 1,5-1,8 нм. Магниторезистивные элементы включались по двум мостовым схемам: в одной между элементами располагался смещающий элемент из постоянного магнита, а в другой использовалось экранирование. Полученная магниторезистивная характеристика носит безгистерезисный характер и почти линейна при увеличении магнитного поля примерно от 0 до 13,6 кА/м. В данном диапазоне магнитного поля выходной сигнал мостовой схемы достигает приблизительно 0,7 В, что гораздо больше уровня сигнала аналогичной схемы, содержащей чувствительный элемент Холла (для преобразователя Холла выходной сигнал составляет около 0,6 мВ/(кА/м).

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее


купить lenovo moto
motorola-u.com