• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Чувствительность нитеобразных датчиков

Материалы с гигантским магнетосопротивлением для тонкопленочных воспроизводящих преобразователей должны обладать относительно высокой магнитной проницаемостью при сравнительно большом магнетосопротивлении. К таким материалам можно отнести многослойные пленки, содержащие пермаллоевые магнитные слои, например пленки 80%Ni,20%Fe/Cu/80%Ni,20%Fe/50%Fe, 50%Мn.

Для исследования магниторезистивных свойств осаждались многослойные пленки 80%Ni, 20%Fe(8 нм)/Сu(2,5 нм)/80%№, 20%Fe(6,0 нм)/ 50%Fe, 50% Мn(8,0 нм) с верхним и нижним танталовыми слоями толщиной 3 нм. Обычно при формировании таких пленок задается продольная анизотропия, при которой переход намагниченности (в случае продольной ориентации напряженности внешнего магнитного поля) от параллельного к антипараллельно- му состоянию осуществляется посредством движения доменных границ, и зависимость электрического сопротивления от напряженности магнитного поля при этом имеет гистерезисный характер. При той же анизотропии, но при ориентации внешнего магнитного поля вдоль трудной оси, гистерезис практически исчезает, а магнетосопротивление уменьшается почти вдвое. Совершенно другая магниторезистивная характеристика для тех же многослойных пленок, но с комбинированной анизотропией: ее начальный участок линеен, нет гистерезиса и величина магнетосопротивления примерно такая же, как и при продольной анизотропии. При комбинированной анизотропии направления намагниченности в смещенном и несмещенном пермаллоевых слоях (в отсутствие магнитного поля) взаимно перпендикулярны. Подобная анизотропия задается внешним магнитным полем в процессе осаждения магнитных слоев либо в результате термообработки.

В результате анализа магниторезистивных, анизотропных, магнитных и кристаллографических свойств тонкопленочных и нитеобразных датчиков из магниторезистивного материала сделан вывод о том, что из-за относительно большого размагничивающего фактора нитеобразные датчики обладают сравнительно невысокой чувствительностью в поперечном направлении, хотя их стоимость намного ниже стоимости тонкопленочных магниторезистивных датчиков.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее