• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Чувствительность элементов со спин-вентилъным переходом

Для многослойных тонкопленочных материалов Со/Сu относительное магнетосопротивление достигает 65% в магнитном поле не менее 80 кА/м, что не обеспечивает высокой чувствительности магниторезистивных элементов из таких материалов. Известны разные пути уменьшения магнитного поля насыщения. Один из них заключается в формировании многослойной структуры со спин-вентильным переходом (спиновой блокировкой). Однако спиновая блокировка приводит к уменьшению относительного магнетосопротивления. Экспериментальные результаты показывают, что относительное магнетосопротивление многослойных пленок возрастает примерно на 50% при обеспечении симметричной спиновой блокировки.

В многослойных пленках с симметричной спиновой блокировкой свободный ферромагнитный слой располагается между магнитными слоями с обменным взаимодействием и отделяется от них немагнитными прослойками меди. Для исследования влияния симметричной блокировки на магниторезистивные свойства магнетронным способом формировалась многослойная структура: №0(75)/ NiFe(3)/Co(2)/Cu(3,4)/Co(2)/NiFe(0-10)/Co(2)/Cu(2,4)/Co(2)/ NiFe(3)/MnFe(15), где в скобках дана толщина слоев в нанометрах. В данной структуре средние слои, т.е. слои Co(2)/NiFe(0-10)/Со(2), граничащие с медными слоями, являются свободными магнитными слоями. В нижних слоях NiO/NiFe/Co реализуется спиновая блокировка. Верхние слои Co/NiFe/MnFe вносят также вклад в спиновую блокировку. Многослойная структура формировалась на кристаллографической поверхности (100) подложки термически окисленного кремния. Тонкопленочные слои осаждались со скоростью 0,025 нм/с в вакууме 4,5*10-3Па. Магнитные слои осаждались в магнитном поле 22 кА/м, что способствовало созданию одноосной и обменной анизотропии соответственно для пермаллое- вых слоев и слоев с обменным взаимодействием. Относительное магнетосопротивление рассматриваемой многослойной пленки существенно зависит от толщины среднего пермаллоевого слоя: оно монотонно убывает примерно от 13,2 до 9% с возрастанием толщины данного слоя от 0 до 10 нм.

Память человека и память ЭВМ

Память - несомненно, один из важнейших атрибутов человека. Развитый, утонченный и вместе с тем изощренный аппарат...

читать далее

Для формирования элементов шириной менее 0,12 мкм предпочтительна проекционная ионно-пучковая литография...

читать далее

Использование фотонного кристалла для создания компьютера

Практической основой, на которой в будущем, по-видимому, будут реализованы все компоненты фотонного компьютера...

читать далее