• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Влияние различных факторов на чувствительность

Влияние различных факторов на чувствительность
По мере возрастания плотности записи информации размеры магниторезистивного элемента воспроизводящих преобразователей уменьшаются. Размеры и форма магниторезистивных элементов в определенной степени зависят от функционального назначения преобразователей, в которых они используются. Кроме того, важно знать, как влияет плотность задающего тока на магниторезистивную характеристику: в разных магниторезистивных преобразователях она может быть различной.

Чувствительность магниторезистивных элементов непосредственно зависит от относительного магнетосопротивления при заданной напряженности магнитного поля. На относительное магнетосопротивление влияют размеры элемента и плотность пропускаемого через него задающего тока. Для количественной оценки такого влияния напылялись многослойные элементы NiCoFe/Cu и NiFe/Ag прямоугольной формы длиной 0,5-1,6 мкм и шириной 1-16 мкм. Магниторезистивные элементы NiCoFe/Cu содержали 8 или 10 пар слоев; толщина магнитных слоев 1,2-1,5 нм, немагнитных 2,3-2,5 нм. Многослойные элементы NiFe/Ag содержали 7 пар слоев; толщина пермаллоевых и серебряных слоев соответственно равна 2 и 4 нм; данные элементы подвергались термообработке при температуре 340 °С в течение 5 мин.

Кривые зависимости относительного магнетосопротивления ∆R/R от напряженности Я внешнего магнитного поля для магниторезистивных элементов (с размерами активной зоны 8*16 мкм2), изготовленных из материалов NiCoFe/Cu и NiFe/Ag, имеют при Н= 0 максимумы: максимум ∆R/R для элементов NiCoFe/Cu составляет около 8%, а для элементов NiFe/Ag - примерно 4,5%. Данные кривые зависимости относительно плавные с небольшим расхождением для прямого и обратного направлений магнитного поля.

С уменьшением размеров активной зоны рассматриваемых магниторезистивных элементов (зона элементов между токоведущими полосами считается активной) на кривых зависимости ∆R/R=f(H) появляются изгибы и максимумы их становятся размытыми. Так, для элементов (1-2 мкм2) из многослойного материала NiCoFe/Cu максимум ∆R/R равен 6%, а для NiFe/Ag - около 45%. Величина ∆R/R уменьшается от 6 до 1% при увеличении напряженности поля от 0 до 35 кА/м для элементов NiCoFe/Cu. Для элемента NiFe/Ag подобное изменение ∆R/R более резкое: в интервале напряженности магнитного поля от 0 до 21 кА/м оно уменьшается примерно от 4 до 0%.

Для еще меньших размеров активной зоны магниторезистивного элемента (0,5-1,0 мкм2) максимум кривой зависимости ∆R/R=f(H) раздваивается: образуются два максимума, один, например для элемента NiFe/Ag, равен 2,6% при Н= - 10 кА/м, а другой - 2,4% (H = 12 кА/м). Кривая зависимости ∆R/R=f(H)) для данного элемента носит явно выраженный гистерезисный характер. Такой характер вместе с изгибами данной кривой подтверждает наличие необратимых процессов перемагничивания, преобладание которых достигается с уменьшением размеров магниторезистивного элемента.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее