• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Влияние различных факторов на чувствительность

Влияние различных факторов на чувствительность
По мере возрастания плотности записи информации размеры магниторезистивного элемента воспроизводящих преобразователей уменьшаются. Размеры и форма магниторезистивных элементов в определенной степени зависят от функционального назначения преобразователей, в которых они используются. Кроме того, важно знать, как влияет плотность задающего тока на магниторезистивную характеристику: в разных магниторезистивных преобразователях она может быть различной.

Чувствительность магниторезистивных элементов непосредственно зависит от относительного магнетосопротивления при заданной напряженности магнитного поля. На относительное магнетосопротивление влияют размеры элемента и плотность пропускаемого через него задающего тока. Для количественной оценки такого влияния напылялись многослойные элементы NiCoFe/Cu и NiFe/Ag прямоугольной формы длиной 0,5-1,6 мкм и шириной 1-16 мкм. Магниторезистивные элементы NiCoFe/Cu содержали 8 или 10 пар слоев; толщина магнитных слоев 1,2-1,5 нм, немагнитных 2,3-2,5 нм. Многослойные элементы NiFe/Ag содержали 7 пар слоев; толщина пермаллоевых и серебряных слоев соответственно равна 2 и 4 нм; данные элементы подвергались термообработке при температуре 340 °С в течение 5 мин.

Кривые зависимости относительного магнетосопротивления ∆R/R от напряженности Я внешнего магнитного поля для магниторезистивных элементов (с размерами активной зоны 8*16 мкм2), изготовленных из материалов NiCoFe/Cu и NiFe/Ag, имеют при Н= 0 максимумы: максимум ∆R/R для элементов NiCoFe/Cu составляет около 8%, а для элементов NiFe/Ag - примерно 4,5%. Данные кривые зависимости относительно плавные с небольшим расхождением для прямого и обратного направлений магнитного поля.

С уменьшением размеров активной зоны рассматриваемых магниторезистивных элементов (зона элементов между токоведущими полосами считается активной) на кривых зависимости ∆R/R=f(H) появляются изгибы и максимумы их становятся размытыми. Так, для элементов (1-2 мкм2) из многослойного материала NiCoFe/Cu максимум ∆R/R равен 6%, а для NiFe/Ag - около 45%. Величина ∆R/R уменьшается от 6 до 1% при увеличении напряженности поля от 0 до 35 кА/м для элементов NiCoFe/Cu. Для элемента NiFe/Ag подобное изменение ∆R/R более резкое: в интервале напряженности магнитного поля от 0 до 21 кА/м оно уменьшается примерно от 4 до 0%.

Для еще меньших размеров активной зоны магниторезистивного элемента (0,5-1,0 мкм2) максимум кривой зависимости ∆R/R=f(H) раздваивается: образуются два максимума, один, например для элемента NiFe/Ag, равен 2,6% при Н= - 10 кА/м, а другой - 2,4% (H = 12 кА/м). Кривая зависимости ∆R/R=f(H)) для данного элемента носит явно выраженный гистерезисный характер. Такой характер вместе с изгибами данной кривой подтверждает наличие необратимых процессов перемагничивания, преобладание которых достигается с уменьшением размеров магниторезистивного элемента.

Мультимедийная среда

В 90-е годы XX в. на базе персональных компьютеров созданы мультимедийные системы. Мультимедиа - это объединение нескольких...

читать далее

Понятие литографии

Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины...

читать далее

Попытки создания квантового компьютера

Основные проблемы создания квантового компьютера вытекают из его природы: чтобы решить какую-либо задачу, необходимо...

читать далее