• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Однодоменная магнитная структура многослойных элементов

Предполагается, что в фиксированном пермаллоевом слое рассматриваемых многослойных элементов со спиновой блокировкой реализуется однодоменная магнитная структура при l/w > 4. Это означает, что выходной сигнал магниторезистивных преобразователей с такими элементами свободен от шумов Баркхаузена, что очень важно учитывать при разработке высокочувствительных приборов и устройств, основанных на магниторезистивном эффекте.

По мере возрастания температуры от 300 до 385 К магниторезистивного элемента шириной 4 мкм и длиной 15 мкм (расстояние между токоведущими полосами составляло 11 мкм) его электрическое сопротивление линейно увеличивается примерно от 9,5 до 11 Ом. Для этого же элемента наблюдалось монотонное увеличение электрического сопротивления приблизительно от 9,5 до 10,2 Ом с увеличением плотности задающего тока от 0,1*107 до 2,2*107 А/см2. Сравнение данных результатов показывает, что при плотности задающего тока, равной 2,2*107 А/см2, температура магниторезистивного элемента увеличивается на 36 °С. Для большинства магниторезистивных преобразователей плотность задающего тока не более 1*107 А/см2, и при такой плотности температурный эффект проявляется слабее примерно в 3-4 раза.

Чувствительность магниторезистивного элемента из многослойного материала NiFe/Ag может составлять 5-6%/(кА/м). Однако такая чувствительность получена при сравнительно небольшой плотности задающего тока. Расчеты, проведенные в рамках микромагнитной модели для многослойных пленок с гигантским магнетосопротивлением, показывают, что с возрастанием плотности тока относительное магнетосопротивление заметно убывает. Рассчитанные данные согласуются с экспериментальными результатами, полученными для многослойных образцов NiFeCo/Cu с гигантским магнетосопротивлением.

Таким образом, чувствительность магниторезистивных преобразователей зависит от магниторезистивных, магнитных и анизотропных свойств тонкопленочного материала их чувствительных элементов, а также от технологических условий их формирования. Как показывают результаты многочисленных экспериментальных исследований последнего времени, применение магниторезистивных материалов с гигантским магнетосопротивлением, в частности, гранулированных однослойных пленок и многослойных материалов со спиновой блокировкой позволяет реализовать относительно высокую чувствительность магниторезистивных преобразователей различного функционального назначения.

Будущее магнитных носителей

В развитии современного общества важнейшую роль играют накопление и рациональное потребление информации. Суммарное...

читать далее

Микро- и наноэлектроника

Характерная особенность современного естествознания - рождение новых, быстро развивающихся наук на базе фундаментальных...

читать далее

Предполагается, что КМОП-схемы могут стать основой для элементной базы даже высокоскоростных микропроцессоров...

читать далее