• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магнитные характеристики многслойных пленок

Магнитные характеристики многслойных пленок
Максимальное относительное магнетосопротивление многослойных пленок [Cu(4,0)/NiFe(1,4)]20 составляет всего лишь 0,4%. Такая сравнительно небольшая его величина свидетельствует о преимущественном ферромагнитном взаимодействии между пермаллоевыми слоями.

Экспериментальная зависимость относительного магнетосопротивления ∆р/р от толщины τ промежуточных пермаллоевых слоев многослойных пленок первой разновидности показана на рис. 7.2, а. Как видно из рисунка, при начальном возрастании толщины τ вплоть до 0,2 нм величина ∆р/р резко падает, при этом петли гистерезиса заметно сужаются.

Толщинная зависимость относительного магнетосопротивления для второй разновидности многослойных пленок (с промежуточной кобальтовой прослойкой) принципиально другая. Для них с увеличением толщины τ вплоть до 0,4 нм промежуточной кобальтовой прослойки величина ∆р/р существенно возрастает (рис. 7.2, б), а петли гистерезиса заметно расширяются. Сравнительно толстые промежуточные прослойки многослойных пленок первой и второй разновидностей почти не влияют на зависимость ∆р/р =f(τ).


Представленные экспериментальные результаты подтверждают заметное влияние промежуточных магнитных прослоек относительно небольшой толщины на магнетосопротивление многослойных пленок и магнитное взаимодействие между их слоями.
Экспериментальная зависимость Ар/р от толщины т0 слоев меди многослойных пленок Cu(τ0)/Co(3,0)/Cu(τo)/NiFe(2,0) показана на рис. 7.2, в. Максимальная величина ∆р/р достигается при τ0 = 0,7 нм. Для этих пленок, как для пленок первой и второй разновидностей, меньшей величине ∆р/р соответствует более узкая петля гистерезиса. При насыщении многослойных пленок в слабых магнитных полях величина ∆р/р для них сравнительно мала.

Измеренные значения удельного электрического сопротивления р, магнетосопротивления ∆р и относительного магнетосопротивления ∆р/р для разной толщины τ промежуточных кобальтовых прослоек многослойных пленок третьей разновидности представлены на рис. 7.2, г. При толщине кобальтовых прослоек 0,2-0,3 нм наблюдался максимум ∆р и ∆р/р.
Экспериментальные результаты, полученные для рассмотренных многослойных пленок, свидетельствуют о заметном влиянии вводимых промежуточных магнитных прослоек небольшой толщины на магнитное взаимодействие между слоями и, следовательно, на магнитные и магниторезистивные свойства таких пленок при различных комбинациях входящих в них магнитных и немагнитных слоев.

Относительное магнетосопротивление многослойных пленок Со/Сu зависит от числа пар слоев кобальта и меди при их фиксированной толщине. Тонкопленочные образцы Со/Сu напылялись магнетронным способом на стеклянные подложки в атмосфере аргона при давлении около 0,4 Па. Их многослойная структура: Сu(1 нм)/[Со(1 нм)/Сu(1 нм)]n где n - число пар слоев Со/Сu, которое варьировалось от 4-х до 128-ми.

Технологии и фундаментальные знания

Технология - совокупность методов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы сырья или полуфабрикатов...

читать далее

Начало развития твердотельной электроники

Толчком для развития твердотельной электроники послужили долгое время необъяснимые физические загадки, называемые...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее