• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магнитные характеристики многслойных пленок

Магнитные характеристики многслойных пленок
Максимальное относительное магнетосопротивление многослойных пленок [Cu(4,0)/NiFe(1,4)]20 составляет всего лишь 0,4%. Такая сравнительно небольшая его величина свидетельствует о преимущественном ферромагнитном взаимодействии между пермаллоевыми слоями.

Экспериментальная зависимость относительного магнетосопротивления ∆р/р от толщины τ промежуточных пермаллоевых слоев многослойных пленок первой разновидности показана на рис. 7.2, а. Как видно из рисунка, при начальном возрастании толщины τ вплоть до 0,2 нм величина ∆р/р резко падает, при этом петли гистерезиса заметно сужаются.

Толщинная зависимость относительного магнетосопротивления для второй разновидности многослойных пленок (с промежуточной кобальтовой прослойкой) принципиально другая. Для них с увеличением толщины τ вплоть до 0,4 нм промежуточной кобальтовой прослойки величина ∆р/р существенно возрастает (рис. 7.2, б), а петли гистерезиса заметно расширяются. Сравнительно толстые промежуточные прослойки многослойных пленок первой и второй разновидностей почти не влияют на зависимость ∆р/р =f(τ).


Представленные экспериментальные результаты подтверждают заметное влияние промежуточных магнитных прослоек относительно небольшой толщины на магнетосопротивление многослойных пленок и магнитное взаимодействие между их слоями.
Экспериментальная зависимость Ар/р от толщины т0 слоев меди многослойных пленок Cu(τ0)/Co(3,0)/Cu(τo)/NiFe(2,0) показана на рис. 7.2, в. Максимальная величина ∆р/р достигается при τ0 = 0,7 нм. Для этих пленок, как для пленок первой и второй разновидностей, меньшей величине ∆р/р соответствует более узкая петля гистерезиса. При насыщении многослойных пленок в слабых магнитных полях величина ∆р/р для них сравнительно мала.

Измеренные значения удельного электрического сопротивления р, магнетосопротивления ∆р и относительного магнетосопротивления ∆р/р для разной толщины τ промежуточных кобальтовых прослоек многослойных пленок третьей разновидности представлены на рис. 7.2, г. При толщине кобальтовых прослоек 0,2-0,3 нм наблюдался максимум ∆р и ∆р/р.
Экспериментальные результаты, полученные для рассмотренных многослойных пленок, свидетельствуют о заметном влиянии вводимых промежуточных магнитных прослоек небольшой толщины на магнитное взаимодействие между слоями и, следовательно, на магнитные и магниторезистивные свойства таких пленок при различных комбинациях входящих в них магнитных и немагнитных слоев.

Относительное магнетосопротивление многослойных пленок Со/Сu зависит от числа пар слоев кобальта и меди при их фиксированной толщине. Тонкопленочные образцы Со/Сu напылялись магнетронным способом на стеклянные подложки в атмосфере аргона при давлении около 0,4 Па. Их многослойная структура: Сu(1 нм)/[Со(1 нм)/Сu(1 нм)]n где n - число пар слоев Со/Сu, которое варьировалось от 4-х до 128-ми.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее