• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимость магнетосопротивления от числа пар слоев

Зависимость магнетосопротивления от числа пар слоев
Как видно из рис. 7.3, с увеличением числа п относительное магнетосопротивление ∆р/р монотонно возрастает, причем зависимость ∆р/р=f(n) нелинейна. Относительное магнетосопротивление определялось при увеличении напряженности магнитного поля от 0 до 1440 кА/м для всех многослойных пленок, за исключением пленки с n = 128, для которой напряженность максимального магнитного поля составляла 2000 кА/м. Измерения производились при низкой температуре, равной 4,2 К.

По мере возрастания напряженности магнитного поля удельное электрическое сопротивление многослойных пленок Со/Сu монотонно уменьшается, и чем больше число пар слоев, тем такое уменьшение более существенно, а для небольшого числа п оно незначительно. Относительное магнетосопротивление многослойной пленки при n< 16 не более 2% и увеличивается вплоть до 38% при n = 128.


Результаты теоретических расчетов показывают, что по мере роста напряженности магнитного поля от 0 до 1440 кА/м длина свободного пробега электронов проводимости возрастает от 15 до 47 нм. Из анализа длины свободного пробега для многослойных пленок с разным числом n следует, что при уменьшении n от 16-ти до 4-х магнетосопротивление обусловливается диффузным поверхностным рассеянием электронов проводимости, тогда как при n > 16 оно слабо влияет на изменение магнетосопротивления, зависящее от упорядочения атомных магнитных моментов кобальта, и заметный вклад в удельное электрическое сопротивление вносит их разупорядочение.

Технологии и фундаментальные знания

Технология - совокупность методов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы сырья или полуфабрикатов...

читать далее

Начало развития твердотельной электроники

Толчком для развития твердотельной электроники послужили долгое время необъяснимые физические загадки, называемые...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее