• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимость магнетосопротивления от числа пар слоев

Зависимость магнетосопротивления от числа пар слоев
Как видно из рис. 7.3, с увеличением числа п относительное магнетосопротивление ∆р/р монотонно возрастает, причем зависимость ∆р/р=f(n) нелинейна. Относительное магнетосопротивление определялось при увеличении напряженности магнитного поля от 0 до 1440 кА/м для всех многослойных пленок, за исключением пленки с n = 128, для которой напряженность максимального магнитного поля составляла 2000 кА/м. Измерения производились при низкой температуре, равной 4,2 К.

По мере возрастания напряженности магнитного поля удельное электрическое сопротивление многослойных пленок Со/Сu монотонно уменьшается, и чем больше число пар слоев, тем такое уменьшение более существенно, а для небольшого числа п оно незначительно. Относительное магнетосопротивление многослойной пленки при n< 16 не более 2% и увеличивается вплоть до 38% при n = 128.


Результаты теоретических расчетов показывают, что по мере роста напряженности магнитного поля от 0 до 1440 кА/м длина свободного пробега электронов проводимости возрастает от 15 до 47 нм. Из анализа длины свободного пробега для многослойных пленок с разным числом n следует, что при уменьшении n от 16-ти до 4-х магнетосопротивление обусловливается диффузным поверхностным рассеянием электронов проводимости, тогда как при n > 16 оно слабо влияет на изменение магнетосопротивления, зависящее от упорядочения атомных магнитных моментов кобальта, и заметный вклад в удельное электрическое сопротивление вносит их разупорядочение.

Проблема воспроизведения живого образа

Одна из важнейших сфер применения магнитной записи - различные аппараты записи и воспроизведения звука и изображения...

читать далее

Усложнение интегральных схем влечет значительный рост затрат на освоение производства с традиционной архитектурой...

читать далее

Биокомпьютеры

Можно ли представить компьютер размером с молекулу? А ведь существует он со времени зарождения жизни на Земле...

читать далее