• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимости магнетосопротивления и напряженности магнитного поля

Зависимости магнетосопротивления и напряженности магнитного поля
Интенсивность обменного взаимодействия определяется прежде всего магнитным полем насыщения: чем больше напряженность магнитного поля, тем слабее обменное взаимодействие и сильнее ферромагнитное. Поэтому обменное взаимодействие можно качественно характеризовать зависимостью напряженности поля насыщения Нs от толщины т немагнитных слоев. Одна из таких зависимостей для многослойного материала [90%Со, 10%Fe(1,0 нм) (Сu(х))]20 показана на рис. 7.4 (кривая 7; кривая 2 характеризует аналогичную зависимость относительного магнетосопротивления). Данные зависимости, как и подобные зависимости для многих многослойных пленок из разных материалов, имеют осциллирующую форму. Первый, самый больший максимум ∆р/р соответствует τ = 1,0 нм, второй - τ = 2,3 нм. На рис. 7.4 наглядно видна сравнительно неплохая корреляция изображенных зависимостей. С возрастанием толщины медных слоев антиферромагнитное взаимодействие, характеризующее его второй максимум, становится гораздо слабее. Максимумы практически исчезают, когда внутрислойное взаимодействие приобретает ферромагнитный характер.

К настоящему времени предложено несколько модельных объяснений осцилляций внутрислойного взаимодействия многослойных сред, но пока остается открытым вопрос его фундаментального описания.

Результаты экспериментальных исследований магнетосопротивления, и в частности толщинной зависимости, могут одновременно обнадеживать и огорчать разработчиков магниторезистивных преобразователей при использовании тонкопленочных материалов с гигантским магнетосопротивлением для высокочувствительных элементов. Надежду и оптимизм вселяет сравнительно большое относительное магнетосопротивление при небольшой толщине немагнитных слоев многослойного материала.



Рис. 7.4. Толщинные зависимости относительно магнетосопротивления и напряженности магнитного поля насыщения

Однако с уменьшением толщины немагнитных слоев возрастает обменное взаимодействие, что неизбежно приводит к увеличению магнитного поля насыщения и, следовательно, к уменьшению чувствительности, которая для современных высокочувствительных элементов, выполненных из магниторезистивного материала, должна быть достаточно высокой.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее