• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимости магнетосопротивления и напряженности магнитного поля

Зависимости магнетосопротивления и напряженности магнитного поля
Интенсивность обменного взаимодействия определяется прежде всего магнитным полем насыщения: чем больше напряженность магнитного поля, тем слабее обменное взаимодействие и сильнее ферромагнитное. Поэтому обменное взаимодействие можно качественно характеризовать зависимостью напряженности поля насыщения Нs от толщины т немагнитных слоев. Одна из таких зависимостей для многослойного материала [90%Со, 10%Fe(1,0 нм) (Сu(х))]20 показана на рис. 7.4 (кривая 7; кривая 2 характеризует аналогичную зависимость относительного магнетосопротивления). Данные зависимости, как и подобные зависимости для многих многослойных пленок из разных материалов, имеют осциллирующую форму. Первый, самый больший максимум ∆р/р соответствует τ = 1,0 нм, второй - τ = 2,3 нм. На рис. 7.4 наглядно видна сравнительно неплохая корреляция изображенных зависимостей. С возрастанием толщины медных слоев антиферромагнитное взаимодействие, характеризующее его второй максимум, становится гораздо слабее. Максимумы практически исчезают, когда внутрислойное взаимодействие приобретает ферромагнитный характер.

К настоящему времени предложено несколько модельных объяснений осцилляций внутрислойного взаимодействия многослойных сред, но пока остается открытым вопрос его фундаментального описания.

Результаты экспериментальных исследований магнетосопротивления, и в частности толщинной зависимости, могут одновременно обнадеживать и огорчать разработчиков магниторезистивных преобразователей при использовании тонкопленочных материалов с гигантским магнетосопротивлением для высокочувствительных элементов. Надежду и оптимизм вселяет сравнительно большое относительное магнетосопротивление при небольшой толщине немагнитных слоев многослойного материала.



Рис. 7.4. Толщинные зависимости относительно магнетосопротивления и напряженности магнитного поля насыщения

Однако с уменьшением толщины немагнитных слоев возрастает обменное взаимодействие, что неизбежно приводит к увеличению магнитного поля насыщения и, следовательно, к уменьшению чувствительности, которая для современных высокочувствительных элементов, выполненных из магниторезистивного материала, должна быть достаточно высокой.

Вычислительные машины на базе электронных ламп

Новая модификация вычислительных машин на базе электронных ламп работала в тысячу раз быстрее. В основу разработки следующей...

читать далее

Создание модификаций транзистора

Совершенствование различных полупроводниковых приборов способствовало развитию микроэлектронных технологий...

читать далее

Мезоскопические структуры

В электронных приборах с размерами активных областей менее 100 нм начинают проявляться квантовые эффекты, так как размеры...

читать далее