• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные характеристики многослойных пленок

На рис. 7.6, а представлены экспериментальные зависимости относительного магнетосопротивления ∆р/р от напряженности внешнего магнитного поля при температуре 4,2 К для многослойных пленок Fe(4,0 нм)/[Со(т0)/Сu(0,93 нм)]16Сu(1,9 нм) с разной толщиной кобальтовых слоев (0,75; 0,5 и 0,25 нм), соответствующей кривым 7,2,3, полученным при перемагничивании пленок. Эти пленки напылялись магнетронным способом в атмосфере аргона при давлении 0,43 Па и скорости осаждения 0,2 нм/с. Осаждение производилось на поверхности (100) и (111) монокристаллических кремниевых подложек, подвергнутых химическому травлению.

С уменьшением толщины т0 кобальтовых слоев (рис. 7.6, а) существенно уменьшается максимальная величина ∆p/p. Так, если при т0= 0,75 нм максимум ∆p/p = 80%, то для т0 = 0,25 нм он уменьшается почти вдвое. Кроме того, при меньшей толщине кобальтовых слоев в большей степени проявляется гистерезис.

Экспериментальная зависимость относительного магнетосопротивления ∆p/p от толщины τ медных прослоек для многослойных пленок Fe (4,5 нм)/[Со(1,0)/Сu(t)]n, где n = 16 при τ < 5,5 нм и n = 8



Рис. 7.6. Магниторезистивные характеристики многослойных пленок

при х > 5,5 нм, приведена на рис. 7.6, б. Измерения производились при температуре 300 К. Аналогичная зависимость для тех же пленок, но при низкой температуре (4,2 К), показана на рис. 7.6, в. Как видно из этих рисунков, для обеих зависимостей характерны осцилляции с периодичностью около 1 нм, которые соответствуют примерно одной и той же толщине медных слоев. По мере возрастания толщины медных слоев осцилляции уменьшаются и при т > 5 нм почти исчезают.

С повышением температуры монотонно уменьшаются относительное магнетосопротивление (рис. 7.6, г) и напряженность Н магнитного поля насыщения (рис. 7.6, д). При этом изменение электрического сопротивления заметно убывает с повышением температуры только от 250 К (рис. 7.6, е). Объяснение такого характера изменения относительного магнетосопротивления в рассматриваемых пленках, как и в пленках из других материалов, можно связать с антиферромагнитным взаимодействием при наличии немагнитных слоев.

Японское бюро исследователей опять удивило весь мир изобретением устройства, используемого для индивидуального...

читать далее

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее


Брус от производителя
instagram.com