• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные характеристики железосодержащих многослойных пленок

Максимальная величина ∆р/р для многослойных пленок (Co9Fe/Cu)16 при одинаковой толщине основных слоев Co9Fe и Си (около 1 нм) соответствует ускоряющему напряжению около 600 В (см. рис. 7.7, а, кривая 1). Максимумы ∆р/р меньшей величины были получены и для других многослойных пленок, а именно пленок, включающих разные основные слои, напыленные тем же способом. Результаты для них представлены на рис. 7.7, а, где кривые 2 и 3 соответствуют пленкам [Со(1 нм)/Сu(1 нм)]16 и [Co3Fe(1 нм)/Сu(0,5 нм)]16. Зависимость ∆р/р =f(V) определялась при комнатной температуре.

Полевые зависимости относительного магнетосопротивления имеют гистерезисный характер (см. рис. 7.7, б, в). Данные, представленные на рис. 7.7, б, получены при комнатной температуре для многослойных пленок [Со9Ре(1нм)/Сu(1нм)]60 при ориентации магнитного поля параллельно кристаллографической оси [100]. Максимальная величина ∆р/р составляет приблизительно 51,8%. Большая максимальная величина ∆р/р (около 86,8%) получена для тех же многослойных пленок и при тех же условиях измерения, но при более низкой температуре - температуре жидкого азота (рис. 7,7, в).

Зависимость относительного магнетосопротивления от толщины медных прослоек т для пленок [Co9Fe(1,0 HM)/Cu(t)]16, как и для многих других многослойных материалов, имеет осциллирующий вид (см. рис. 7.7, г). Максимумы данной зависимости расположены с периодичностью, примерно равной 1,1 нм. Как показывают результаты исследований процесса перемагничивания рассматриваемых пленок с разной толщиной медных прослоек, петли гистерезиса, соответствующие максимумам зависимости ∆р/р=f(τ), имеют деформированный вид, при этом они сравнительно узкие, что свидетельствует о преобладании обратимых процессов намагничивания.



Рис. 7.7. Магниторезистивные характеристики железосодержащих многослойных пленок


Технологии и фундаментальные знания

Технология - совокупность методов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы сырья или полуфабрикатов...

читать далее

Начало развития твердотельной электроники

Толчком для развития твердотельной электроники послужили долгое время необъяснимые физические загадки, называемые...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее


Форум о ремонте
copygroup.ru