• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Многослойные пленни пермаллой/медь

Гигантское магнетосопротивление и его осцилляция при изменении толщины немагнитного слоя наблюдались не только в кобальт/ медных, но и в других разных по структуре многослойных пленках: Fe/Cr, CoRu, CoFe/Cu, CoAg, NiFe/Cu и т.п. Среди них детально исследовались пермаллой/медные пленки, т.е. пленки NiFe/Cu. Относительное магнетосопротивление их максимально при толщине слоев меди 1-1,1 нм. Пермаллой/медные пленки напылялись ионно-лучевым способом при ускоряющем напряжении ионной пушки 300 В и ионном токе 30 мА. Использовались железная, медная и пермаллоевая (с 20%-ным содержанием железа) мишени. Скорость осаждения материалов NiFe, Сu и Fe составляла соответственно 0,014, 0,020 и 0,015 нм/с. Напыление производилось в атмосфере аргона при давлении 0,02 Па. Многослойные пленки напылялись на плоскость (100) монокристаллических кремниевых подложек. Причем вначале непосредственно на подложку осаждался буферный железный слой толщиной 5 нм. Многослойные пленки содержали 20 пар основных слоев пермаллоя и меди. Магнитные и магниторезистивные свойства этих пленок определялись при комнатной температуре. Намагниченность измерялась вибрационным магнитометром. Максимальная напряженность поля намагничивания равнялось 8105 А/м. Измерение магнетосопротивления производилось с помощью четырехтерминального метода. Тонкопленочные многослойные образцы имели форму квадрата со стороной 7 мм. Внешнее магнитное поле ориентировалось в плоскости образцов и перпендикулярно направлению тока. Относительное магнетосопротивление определялось отношением изменения удельного электрического сопротивления в заданном поле к удельному электрическому сопротивлению в магнитном поле насыщения.

Как показали измерения, напряженность магнитного поля насыщения многослойных пленок Fe(5,0 HM)[NiFe(1,0 нм)/Со(1,0 нм)]20 составляла приблизительно 230 кА/м, что гораздо меньше, чем для кобальт/медных многослойных пленок.

Компьютерная сеть

Возможности персонального компьютера существенно расширяются за счет использования компьютерных сетей...

читать далее

Перспективные технологии

До недавнего времени микроэлектронная технология основывалась на удалении лишнего материала из заготовки подобно тому...

читать далее

Транзистор в виде атомного реле

Весьма интересна идея создания своеобразного транзистора в виде атомного реле, основанная на том, что минимальными...

читать далее