• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Относительное магнетосопротивление многослойных пленок NiFe/Cu

Зависимость относительного магнетосопротивления ∆р/р от напряженности магнитного поля Н для многослойной пленки Fe(5,0 HM)[NiFe(1,0 нм)Сu(1,0 нм)]20 представлена на рис. 7.8, а. Максимальная величина ∆р/р около 19%, что значительно больше, чем для многослойных никельсодержащих пленок. Напряженность поля, при котором Ар/р стремится к нулю, равна не менее 800 кА/м. В то же время напряженность поля насыщения составляет примерно 230 кА/м.

Экспериментальная зависимость относительного магнетосопротивления от толщины τ медных слоев при фиксированной толщине пермаллоевых слоев, равной 1,0 нм, представлена на рис. 7.8, б. Эта зависимость, как и для многих других многослойных пленок, имеет осциллирующий вид. Первый максимум ∆р/р (около 19 %) соответствует толщине медных слоев τ = 1 нм. Приблизительно для такой же толщины медных слоев наблюдался максимум напряженности магнитного поля насыщения (рис. 7.8, в). Второй и третий максимумы ∆р/р получены при толщине τ, равной примерно 2,2 и 3,8 нм. Как видно из рис. 7.8, б, первый максимум ∆р/р = f(τ) - самый большой (около 20 %), два других максимума гораздо меньше: один из них - больший - равен приблизительно 8% (τ = 2,2 нм), а другой - меньший - не более 3% (τ = 3,8 нм).

С изменением толщины τо пермаллоевых слоев многослойных пленок NiFe/Cu при фиксированной толщине медных слоев, равной 1,0 нм,


относительное магнетосопротивление также существенно изменяется (рис. 7.8, г, верхняя кривая). Величина ∆р/р монотонно возрастает с увеличением толщины пермаллоевых слоев от 0,6 до 1,1 нм. Дальнейшее увеличение т0 приводит к убыванию ∆р/р. Максимум ∆р/р соответствует τ0 = 1,1 нм. При увеличении толщины τ0) напряженность поля насыщения Я монотонно падает (рис. 7.8, г, нижняя кривая).
Для рассматриваемых многослойных пленок NiFe/Cu с разной толщиной пермаллоевых слоев измерялась, кроме того, намагниченность насыщения Ms и определялась константа межслойного взаимодействия. Как видно из рис. 7.8, д, с уменьшением толщины пермаллоевых слоев намагниченность насыщения монотонно падает. Такую экспериментальную зависимость можно объяснить уменьшением объема граничащих друг с другом и взаимодействующих между собой пермаллоевых фракций, которые играют важную роль при уменьшении толщины пермаллоевых слоев.

Интернет

Интернет

09.12.11

Развитие Интернета начинается с 1961 г., когда в США была создана экспериментальная сеть для оперативной передачи информации...

читать далее

Современные средства нанотехнологий

Принцип работы различных электронно-вычислительных машин, в том числе и персональных компьютеров, производимых на протяжении...

читать далее

Квантовые компьютеры

В модернизации элементной базы компьютеров, основанной на традиционном электронном принципе, есть фундаментальное...

читать далее