• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Характеристика вентильных материалов

Вентильные материалы характеризуются сравнительно слабым полем насыщения, которое задается свободным, неблокированным магнитным слоем. Чтобы поле перемагничивания оставалось слабым для всего многослойного образца, необходимо свести к минимуму взаимодействие свободных и блокированных слоев. Если такое обменное взаимодействие достигается только увеличением толщины немагнитного слоя, разделяющего магнитные слои, при котором уменьшается относительное магнетосопротивление, то проблема повышения чувствительности останется той же, что и для многослойных материалов без блокировки. Однако, как показывает анализ, межслойное взаимодействие тонкопленочных материалов со спиновой блокировкой гораздо слабее, чем многослойных материалов без блокировки. Такой вывод подтверждается результатами эксперимента. Например, при толщине медных слоев, равной 2,2 нм, межслойное обменное взаимодействие многослойных пленок Со/ Си и NiFe/Cu носит антиферромагнитный характер и первый максимум, определяющий интенсивность взаимодействия, соответствует напряженности поля насыщения около 40 кА/м. При той же толщине медного слоя для тонкопленочного образца NiFe/Cu/NiFe/ MnFe обменное поле гораздо слабее (не более 800 А/м) и обусловливает ферромагнитное взаимодействие. Для других аналогичных тонкопленочных образцов обменное поле остается слабым при изменении толщины медной прослойки от 1,8 до 3,0 нм и какие-либо осцилляции не обнаружены. Тем не менее в тонкопленочном образце Со/Сu со спиновой блокировкой (слои Со/Си осаждались поверх многослойной пленки Co/Cu) наблюдалось также слабое, но осциллирующее взаимодействие. Аналогичное по характеру взаимодействие присуще и многослойным материалам NiFe/Cu/Co со спиновой блокировкой. Подобное взаимодействие наблюдалось и в трехслойном образце Со/Сu/Со, выращенном методом молекулярной эпитаксии на кристаллической поверхности (100) медной подложки. Период осцилляции примерно такой же, как и для многослойных пленок Со/Сu.

В МНОГОСЛОЙНОЙ пленке Со/Си, содержащей небольшое число пар слоев, как предполагается, преобладает ферромагнитное взаимодействие, которое и препятствует возникновению гигантского магниторезистивного эффекта.

Обменное взаимодействие между двумя магнитными слоями зависит не только от свойств материала слоев и толщины немагнитного слоя между ними, но и от свойств окружающей их среды, что и создает дополнительные вариации обменного взаимодействия, при котором можно получить сравнительно большое относительное магнетосопротивление .

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее