• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимость магниторезистивности от толщины буферных пленок

Зависимость магниторезистивности от толщины буферных пленок
Экспериментальные исследования показали, что магниторезистивные и магнитные свойства многослойных пленок Со/Сu/Со зависят от толщины буферного магнитного слоя, осажденного непосредственно на подложку и находящегося в контакте с первым кобальтовым слоем. Многослойная структура тонкопленочных образцов Со/Сu/Со формировалась на плоскости (100) монокристаллической кремниевой подложки методом электронно-лучевого осаждения при рабочем давлении в камере около 5*10-6 Па. Скорость осаждения составляла 0,05 нм/с. Вначале на подложку кремния осаждался буферный слой никеля, толщина которого варьировалась в пределах 1-12 нм. Затем последовательно напылялись слои кобальта (5 нм), меди (3,5 нм) и кобальта (5 нм).

С помощью вибрационного магнетометра определялась коэрцитивная сила буферного слоя и многослойных образцов Ni/Co/Cu/Co с разной толщиной никелевого слоя. При увеличении толщины τ буферного никелевого слоя от 2,5 до 10 нм его коэрцитивная сила Hс монотонно возрастает примерно от 1 до 12 Э (рис. 7.10).

На кривой зависимости относительного магнетосопротивления Ар/р от толщины буферного слоя τ для многослойных тонкопленочных образцов Ni/Co/Cu/Co наблюдается максимум ∆р/р при т, примерно равной 3 нм (рис. 7.11, кривая 1); при увеличении τ от 0 до 3 нм относительное магнетосопротивление монотонно возрастает примерно от 0,7 до 5 %. Дальнейшее увеличение толщины т от 3 до 12 нм уменьшает ∆р/р до 3 %. Для тех же образцов по мере увеличения толщины никелевого слоя от 1 до 12 нм коэрцитивная сила Hc уменьшается от 20 до 12 Э (рис. 7.11, кривая 2). При этом наиболее резкое уменьшение величины Hc происходит на начальном участке зависимости Нс =f(τ) - при увеличении толщины т от 1 до 4 нм.

Таким образом, полученные экспериментальные результаты показывают, что на магниторезистивные свойства многослойных структур влияют толщина буферного магнитного слоя и технологические условия формирования каждого слоя.

Магниторезистивные свойства тонкопленочных образцов с многослойной структурой FeCo/Cu зависят от технологических параметров,



Рис. 7.10. Толщинная зависимость коэрцитивной силы



Рис. 7.11. Зависимость относительного магнетосопротивления (1) и коэрцитивной силы (2) от толщины никелевого слоя

которые можно варьировать в процессе осаждения слоев. Так, при изменении парциального давления кислорода от 6,5*10-8 до 6,5*10-6 Па их относительное магнетосопротивление ∆р/р монотонно возрастает примерно от 5 до 30%. При дальнейшем увеличении парциального давления от 6,5*10-6 до 1,3*10-4 Па величина ∆р/р убывает от 30 до 12%. Для рассматриваемых многослойных образцов максимальная чувствительность, равная 0,28% Э, соответствует парциальному давлению 1,3*10-5 Па.

Мультимедийная среда

В 90-е годы XX в. на базе персональных компьютеров созданы мультимедийные системы. Мультимедиа - это объединение нескольких...

читать далее

Понятие литографии

Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины...

читать далее

Попытки создания квантового компьютера

Основные проблемы создания квантового компьютера вытекают из его природы: чтобы решить какую-либо задачу, необходимо...

читать далее