• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимость магниторезистивности от толщины буферных пленок

Зависимость магниторезистивности от толщины буферных пленок
Экспериментальные исследования показали, что магниторезистивные и магнитные свойства многослойных пленок Со/Сu/Со зависят от толщины буферного магнитного слоя, осажденного непосредственно на подложку и находящегося в контакте с первым кобальтовым слоем. Многослойная структура тонкопленочных образцов Со/Сu/Со формировалась на плоскости (100) монокристаллической кремниевой подложки методом электронно-лучевого осаждения при рабочем давлении в камере около 5*10-6 Па. Скорость осаждения составляла 0,05 нм/с. Вначале на подложку кремния осаждался буферный слой никеля, толщина которого варьировалась в пределах 1-12 нм. Затем последовательно напылялись слои кобальта (5 нм), меди (3,5 нм) и кобальта (5 нм).

С помощью вибрационного магнетометра определялась коэрцитивная сила буферного слоя и многослойных образцов Ni/Co/Cu/Co с разной толщиной никелевого слоя. При увеличении толщины τ буферного никелевого слоя от 2,5 до 10 нм его коэрцитивная сила Hс монотонно возрастает примерно от 1 до 12 Э (рис. 7.10).

На кривой зависимости относительного магнетосопротивления Ар/р от толщины буферного слоя τ для многослойных тонкопленочных образцов Ni/Co/Cu/Co наблюдается максимум ∆р/р при т, примерно равной 3 нм (рис. 7.11, кривая 1); при увеличении τ от 0 до 3 нм относительное магнетосопротивление монотонно возрастает примерно от 0,7 до 5 %. Дальнейшее увеличение толщины т от 3 до 12 нм уменьшает ∆р/р до 3 %. Для тех же образцов по мере увеличения толщины никелевого слоя от 1 до 12 нм коэрцитивная сила Hc уменьшается от 20 до 12 Э (рис. 7.11, кривая 2). При этом наиболее резкое уменьшение величины Hc происходит на начальном участке зависимости Нс =f(τ) - при увеличении толщины т от 1 до 4 нм.

Таким образом, полученные экспериментальные результаты показывают, что на магниторезистивные свойства многослойных структур влияют толщина буферного магнитного слоя и технологические условия формирования каждого слоя.

Магниторезистивные свойства тонкопленочных образцов с многослойной структурой FeCo/Cu зависят от технологических параметров,



Рис. 7.10. Толщинная зависимость коэрцитивной силы



Рис. 7.11. Зависимость относительного магнетосопротивления (1) и коэрцитивной силы (2) от толщины никелевого слоя

которые можно варьировать в процессе осаждения слоев. Так, при изменении парциального давления кислорода от 6,5*10-8 до 6,5*10-6 Па их относительное магнетосопротивление ∆р/р монотонно возрастает примерно от 5 до 30%. При дальнейшем увеличении парциального давления от 6,5*10-6 до 1,3*10-4 Па величина ∆р/р убывает от 30 до 12%. Для рассматриваемых многослойных образцов максимальная чувствительность, равная 0,28% Э, соответствует парциальному давлению 1,3*10-5 Па.

Будущее магнитных носителей

В развитии современного общества важнейшую роль играют накопление и рациональное потребление информации. Суммарное...

читать далее

Микро- и наноэлектроника

Характерная особенность современного естествознания - рождение новых, быстро развивающихся наук на базе фундаментальных...

читать далее

Предполагается, что КМОП-схемы могут стать основой для элементной базы даже высокоскоростных микропроцессоров...

читать далее