• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные свойства в тонкопленочных образцах

Магниторезистивные свойства в тонкопленочных образцах
В многослойных тонкопленочных структурах CoFe/Cu с замыкающим слоем тантала магниторезистивные свойства обусловливаются межслойным магнитным взаимодействием, определяющим спин-вентильный переход. Их относительное магнетосопротивление зависит от толщины немагнитных слоев меди и тантала. При увеличении толщины медного слоя от 0 до 3 нм наблюдались два минимума и один максимум напряженности эффективного магнитного поля H межслойного взаимодействия: первый минимум Н = -10 Э соответствует толщине медного слоя τ = 0,5 нм, второй минимум H =-15 Э - τ = 2,5 нм, а максимум H= 22 Э достигается при τ = 1,5 нм. Это означает, что зависимость H =f(τ) имеет осциллирующий вид. В то же время при увеличении τ от 0 до 1 нм относительное магнетосопротивление монотонно увеличивается от 5 до 7,5 %. Для тонкопленочных образцов с медными прослойками при увеличении толщины замыкающего слоя тантала от 1 до 3 нм относительное магнетосопротивление монотонно уменьшается примерно от 7,5 до 5,5 %.

В разработке перспективных модификаций магнитных накопителей на жестких дисках важную роль играют многослойные материалы со спин-вентильным переходом, из которых изготавливаются высокочувствительные магниторезистивные элементы, позволяющие воспроизвести информацию, записанную с высокой поверхностной плотностью. Спин-вентильный переход обычно формируется в многослойной структуре магниторезистивного элемента. Относительное магнетосопротивление магниторезистивного многослойного образца, включающего слои PdPtMn, Ru, Сu, NiFe, может достигать 12,4 %, что вполне достаточно для воспроизведения сигнала, записанного с поверхностной плотностью, равной 106 Гбит/дюйм2, при ширине воспроизводящего элемента 0,7 мкм.

Экспериментальные исследования показывают, что магниторезистивные свойства проявляются в тонкопленочных образцах со спин-вентильным переходом в направлении, перпендикулярном их плоскости. Задающий ток при этом пропускается в перпендикулярном плоскости образца направлении посредством нижней и верхней токопроводящих полос. Многослойная структура со спин-вентильным переходом формировалась в промежутке между изолирующими сравнительно толстыми слоями двуокиси кремния. Они включали магнитные слои CoFeB, NiFe и немагнитные слои Сu, Та и др. Для данной структуры достигнута сравнительно большая величина относительного магнетосопротивления около 40%. При увеличении площади магниторезистивной зоны от 0,5 до 10 мкм2 магнетосопротивление ∆р/р при этом почти не изменилось. С уменьшением суммарной толщины магнитных слоев от 25 до 15% величина ∆р/р возрастает примерно с 30 до 40%.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее