• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Характеристика воспроизведения комбинированного преобразователя

В некоторых модификациях магниторезистивных преобразователей для воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью, в чувствительный элемент вводят антиферромагнитный слой NiMn с высокой критической температурой, благодаря которому обеспечивается стабильность обменного взаимодействия при наличии спин-вентильного перехода. Для исследования влияния анизотропных магнитных свойств составных элементов тонкопленочного преобразователя для записи и воспроизведения информации на уровень и форму выходного сигнала, а также на его частотную характеристику, изготавливался комбинированный преобразователь, содержащий NiMn-элемент и чувствительный элемент для определения поля анизотропии в магнитных слоях.

Результаты измерений показали, что с увеличением времени термического отжига от 0 до 17 ч поле анизотропии изменяется от + 18 до -15 Э. Термический отжиг производится в вакууме при давлении около 6,5*10-4 Па во внешнем магнитном поле напряженностью 500 Э и температуре 250°С. Для магнитных элементов NiFe и FeTaN поле анизотропии не зависит от времени термического отжига и приблизительно равно нулю. Для тонкопленочного элемента CoZrTa зависимость магнитной проницаемости μ от поля анизотропии Нк имеет максимум, равный приблизительно 2000 при Нк = 400 А/м на частоте 100 МГц. На меньшей частоте - 10 МГц - максимальное значение μ более 3000.

Для исследования магниторезистивных свойств изготавливался многослойный образец с вентильным переходом: Та(3 HM)/NiFe (8 HM)/CoFe(1 нм)/Сu (2,5 HM)/CoFe (4нм)/NiМn (20 нм)/Та(3 нм), относительное магнетосопротивление которого составляет примерно 3 % и уменьшается до 2 % после термической обработки. По-видимому, при термической обработке нарушается ориентация намагниченности в анизотропных слоях, что приводит к уменьшению относительного магнетосопротивления.

Характеристика воспроизведения комбинированного преобразователя с NiMn-вентильным переходом имеет близкий к линейному участок экспериментальной зависимости в интервале задающего тока 4-6 мА и соответствует изменению уровня выходного сигнала приблизительно от -400 до +800 мкВ. При этом импульсы сигнала воспроизведения симметричны без ощутимых изменений их формы, что важно при записи информации с высокой плотностью.

Общие сведения о накоплении информации

Появление наскальных рисунков и надписей свидетельствует о стремлении человека еще в древние времена сохранить...

читать далее

Электронная и рентгеновская литография

Электронная литография основана на сканировании электронного луча по пластине. Она широко применяется для производства...

читать далее

Фотонный компьютер

Одна из наиболее перспективных альтернатив процессорам и компьютерам на электронной основе - это использование фотонов...

читать далее