• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Характеристика воспроизведения комбинированного преобразователя

В некоторых модификациях магниторезистивных преобразователей для воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью, в чувствительный элемент вводят антиферромагнитный слой NiMn с высокой критической температурой, благодаря которому обеспечивается стабильность обменного взаимодействия при наличии спин-вентильного перехода. Для исследования влияния анизотропных магнитных свойств составных элементов тонкопленочного преобразователя для записи и воспроизведения информации на уровень и форму выходного сигнала, а также на его частотную характеристику, изготавливался комбинированный преобразователь, содержащий NiMn-элемент и чувствительный элемент для определения поля анизотропии в магнитных слоях.

Результаты измерений показали, что с увеличением времени термического отжига от 0 до 17 ч поле анизотропии изменяется от + 18 до -15 Э. Термический отжиг производится в вакууме при давлении около 6,5*10-4 Па во внешнем магнитном поле напряженностью 500 Э и температуре 250°С. Для магнитных элементов NiFe и FeTaN поле анизотропии не зависит от времени термического отжига и приблизительно равно нулю. Для тонкопленочного элемента CoZrTa зависимость магнитной проницаемости μ от поля анизотропии Нк имеет максимум, равный приблизительно 2000 при Нк = 400 А/м на частоте 100 МГц. На меньшей частоте - 10 МГц - максимальное значение μ более 3000.

Для исследования магниторезистивных свойств изготавливался многослойный образец с вентильным переходом: Та(3 HM)/NiFe (8 HM)/CoFe(1 нм)/Сu (2,5 HM)/CoFe (4нм)/NiМn (20 нм)/Та(3 нм), относительное магнетосопротивление которого составляет примерно 3 % и уменьшается до 2 % после термической обработки. По-видимому, при термической обработке нарушается ориентация намагниченности в анизотропных слоях, что приводит к уменьшению относительного магнетосопротивления.

Характеристика воспроизведения комбинированного преобразователя с NiMn-вентильным переходом имеет близкий к линейному участок экспериментальной зависимости в интервале задающего тока 4-6 мА и соответствует изменению уровня выходного сигнала приблизительно от -400 до +800 мкВ. При этом импульсы сигнала воспроизведения симметричны без ощутимых изменений их формы, что важно при записи информации с высокой плотностью.

Мультимедийная среда

В 90-е годы XX в. на базе персональных компьютеров созданы мультимедийные системы. Мультимедиа - это объединение нескольких...

читать далее

Понятие литографии

Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины...

читать далее

Попытки создания квантового компьютера

Основные проблемы создания квантового компьютера вытекают из его природы: чтобы решить какую-либо задачу, необходимо...

читать далее