• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Модельное представление магнетосопротивления

Гигантское магнетосопротивление по своей микроскопической природе отличается от анизотропного. Значительное изменение электрического сопротивления материалов с гигантским магнетосопротивлением, например многослойных пленок, обусловливается преимущественно относительным изменением направления намагниченности в смежных магнитных слоях. Так, в многослойных пленках проявляется антиферромагнитное взаимодействие магнитных слоев, разделенных немагнитными прослойками. Во внешнем магнитном поле антипараллельная ориентация магнитных моментов в смежных магнитных слоях переходит в параллельную и сопровождается изменением удельного электрического сопротивления.

К настоящему времени предложены различные теоретические модели для объяснения микроскопической природы гигантского магнетосопротивления. Рассмотрим более простую из них, в соответствии с которой в многослойном материале электроны проводимости со взаимно противоположной ориентацией спинов (по отношению к направлению намагниченности в локальной зоне) представляют собой две взаимодействующие среды. В любом магнитном металле процесс рассеяния электронов зависит от относительной ориентации их спинов и локальной намагниченности. Электроны проводимости со спинами, антипараллельными вектору локальной намагниченности, испытывают более интенсивное рассеяние, чем электроны со спинами, направление которых совпадает с направлением локальной намагниченности. В многослойной среде длина свободного пробега электронов проводимости больше толщины слоев, и электроны проводимости могут свободно проходить через несколько слоев между столкновениями.

Различие механизмов рассеяния, определяемого столкновениями электронов проводимости при антиферромагнитном и ферромагнитном взаимодействиях между магнитными слоями многослойной среды, показано на рис. 7.12, где стрелками справа указаны направления вектора намагниченности М в магнитных слоях. В многослойной среде с антиферромагнитным взаимодействием процесс столкновения электронов проводимости наиболее вероятен, чем в той же среде, но с ферромагнитным взаимодействием.



Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее