• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Применение высокочувствительных магниторезистивных датчиков

Применение высокочувствительных магниторезистивных датчиков
Многие высокочувствительные магниторезистивные датчики при минимальных размерах и небольшом электрическом сопротивлении подводящих элементов, сопряженных с чувствительным элементом, должны обладать сравнительно большим импедансом, что позволит при фиксированном задающем токе получить относительно высокий уровень выходного сигнала. Весьма малый импеданс многослойных элементов с перпендикулярной структурой - существенный недостаток даже при весьма незначительном сопротивлении подводящих элементов, хотя относительное магнетосопротивление подобных многослойных элементов может быть больше, но маленькая рабочая площадь и довольно большое число слоев налагают определенные ограничения на технологию их изготовления. Электрическое сопротивление чувствительных элементов с плоской структурой типа сэндвич составляет 10-30 Ом, что можно считать вполне приемлемым для достижения необходимого уровня выходного сигнала. Чувствительные элементы, содержащие много магнитных слоев, а также элементы, сформированные из гранулированного тонкопленочного материала, характеризуются относительно малым сопротивлением, хотя их магнетосопротивление достаточно высокое.

Проведенные испытания показали, что при плотности задающего тока 108 А/см2, пропускаемого через элемент типа сэндвич CoFe/Cu при температурах 200 и 350 °С в течение соответственно более часа и нескольких часов, деградации магниторезистивных и магнитных свойств не наблюдалось. Такой результат, по-видимому, связан с отсутствием активной взаимной диффузии между медными и магнитными материалами. Однако при аналогичных испытаниях элементов NiFe/Cu выявлена ощутимая деградация магниторезистивных свойств при нагревании до 200 °С.

При изменении магнитных свойств тонкопленочного материала с анизотропными упругими напряжениями могут возникать магнитострикционные последствия. Анизотропные напряжения проявляются при температурных изменениях, а также при травлении, задающем необходимую формулу магниторезистивного элемента. Естественно, чем меньше магнитострикция материала элемента, тем незначительнее влияние на магнитострикционные свойства различных условий.

Температурный коэффициент сопротивления для магниторезистивных элементов типа сэндвич примерно в 2 раза меньше аналогичного коэффициента анизотропных магниторезистивных элементов, что весьма важно при создании высокочувствительных приборов с отводом тепла.

Память человека и память ЭВМ

Память - несомненно, один из важнейших атрибутов человека. Развитый, утонченный и вместе с тем изощренный аппарат...

читать далее

Для формирования элементов шириной менее 0,12 мкм предпочтительна проекционная ионно-пучковая литография...

читать далее

Использование фотонного кристалла для создания компьютера

Практической основой, на которой в будущем, по-видимому, будут реализованы все компоненты фотонного компьютера...

читать далее