• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Применение тонкопленочных преобразователей

Применение тонкопленочных преобразователей
Рассмотрим специфику применения магниторезистивных элементов для тонкопленочных преобразователей различного назначения. Важный объект применения магниторезистивных материалов - магниторезистивные головки. Они отличаются от индуктивных высоким уровнем сигнала воспроизведения. Естественно, что использование материалов с гигантским магнетосопротивлением для чувствительных элементов таких головок обеспечивает еще более высокий уровень сигнала воспроизведения. Конструкция и компоновка составных элементов магниторезистивной головки, изготовленной из материала с гигантским магнетосопротивлением, похожа на конструкцию и компоновку тонкопленочной головки с анизотропным магниторезистивным элементом.

В воспроизводящих магниторезистивных головках с анизотропным элементом иногда используется полосовая структура, обеспечивающая довольно эффективное смещение, необходимое для получения квазилинейной магниторезистивной характеристики. Однако такой способ смещения нельзя считать эффективным для магниторезистивных элементов с гигантским магнетосопротивлением: изменение распределения направления плотности заданного тока происходит только в одном слое, что ограничивает линеаризацию магниторезистивной характеристики. Поэтому для эффективного смещения магниторезистивного элемента с гигантским магнетосопротивлением целесообразно использовать другие способы, связанные с действием магнитного поля рассеяния дополнительно введенных элементов, расположенных рядом с чувствительным элементом.
Магниторезистивные элементы с гигантским магнетосопротивлением могут иметь многослойную структуру. В исходном состоянии вектор намагниченности в смежных слоях таких элементов ориентирован антипараллельно (для слоев с антиферромагнитным взаимодействием) либо произвольно для сэндвич-элементов. При воспроизведении записанного сигнала важна начальная ориентация вектора намагниченности магнитных слоев чувствительного элемента, которая задается магнитным смещением. Для обеспечения антипараллель- ной ориентации вдоль чувствительного элемента в отсутствии смещения при осаждении магниторезистивного элемента в смежных слоях создается одноосная анизотропия.

В современных тонкопленочных накопителях информации ширина дорожки записи составляет менее 1 мкм. Следовательно, ширина чувствительного элемента магниторезистивной головки должна быть еще меньше. Для получения приемлемого уровня сигнала воспроизведения и дальнейшей его обработки при таком сравнительно небольшом размере магниторезистивного элемента важно учитывать электрическое сопротивление, так как мощность рассеяния ограничена.

Кроме того, для магниторезистивного элемента чрезвычайно малых размеров может проявляться размагничивающий эффект: напряженность размагничивающего поля достигает 4-8 кА/м и завихрения намагниченности на краях магниторезистивного элемента могут привести к заметному уменьшению его эффективной ширины при действии внешнего магнитного поля.

Изготовление магниторезистивного элемента с гигантским магнетосопротивлением сопряжено с двумя взаимоисключающими требованиями: с одной стороны, для увеличения магнетосопротивления необходимо увеличить толщину магниторезистивного элемента, а с другой - оптимальные размагничивающее поле и электрическое сопротивление возможны только при небольшой толщине многослойного элемента.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее