• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Возможность применения различных магниторезистивных материалов

Исходя из обобщенной характеристики магниторезистивных, магнитных и других свойств тонкопленочных материалов с гигантским магнетосопротивлением, с учетом специфики функционирования магниторезистивных элементов в разных по назначению устройствах, можно качественно оценить возможность применения различных магниторезистивных материалов для трех основных видов устройств: датчиков магнитного поля, магниторезистивных головок и устройств памяти с произвольной выборкой (табл. 7.1)

Таблица 7.1


Возможное применение магниторезистивных материалов с той или иной структурой означает, что по своим свойствам рассматриваемый материал вполне удовлетворяет требованиям данного устройства, однако его практическая реализация пока не демонстрировалась. Характеристика «вполне возможно» указывает на то, что первые модификации рассматриваемых устройств с использованием того или иного магниторезистивного материала созданы и прошли успешные испытания. Характеристика «пока нет» относится к магниторезистивным материалам, физические свойства которых исследованы недостаточно. И, наконец, «маловероятно» характеризует материалы с гигантским магнетосопротивлением, для практического применения которых пока не найдена подходящая техническая схема решения. При использовании многослойных материалов с антиферромагнитным взаимодействием необходимо учитывать сравнительно высокое электрическое сопротивление изготовленных из них элементов при комнатной температуре.

Из табл. 7.1 видно, что один и тот же магниторезистивный материал с набором вполне определенных свойств не находит применения в устройствах с разным функциональным назначением. Магниторезистивные материалы со структурой типа сэндвич без взаимодействия, многослойные материалы со слабым антиферромагнитным взаимодействием и проводимостью в плоскости элемента при достижении сравнительно слабых полей взаимодействия можно считать перспективными для формирования чувствительных элементов магниторезистивных головок и устройств памяти с произвольной выборкой.
Применение материалов с гигантским магнетосопротивлением для датчиков магнитного поля позволит улучшить их технические характеристики, которые в ряде случаев могут превосходить аналогичные характеристики датчиков с анизотропным магниторезистивным элементом и элементом Холла при одних и тех же условиях эксплуатации.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее