• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Особенности гетерогенных пленок

Гетерогенные пленки CrFe обладают сравнительно большим относительным магнетосопротивлением (около 37,3%) при температуре 4,2 К в магнитном поле 14 Тл. Эти пленки осаждались высокочастотным ионно-плазменным способом на кремниевые подложки с разной температурой: одни подложки охлаждались жидким азотом, а другие - нагревались до 200 °С. Напылялись пленки разного состава: содержание железа варьировалось от 0 до 40% (ат.). Относительное магнетосопротивление определялось при низкой температуре (4,2 К) в довольно сильном магнитном поле, созданном сверхпроводящим электромагнитом и равным 14 Тл.

Магниторезистивные свойства рассматриваемых пленок существенно зависят от состава и температуры подложки. Кривые зависимости относительного магнетосопротивления от процентного содержания железа проходят через максимумы для пленок, осажденных и на охлажденные, и на нагретые подложки. Оба максимума соответствуют примерно одному и тому же составу пленок - 20% (aT.)Fe, но максимум ∆р/р для пленок CrFe с нагретыми до 200 °С при напылении подложками составляет 37,3%, а с охлажденным и жидким азотом - гораздо меньше - около 25%.

Температура подложки почти не влияет на величину ∆р/р для пленок с содержанием железа от 20 до 40% (ат.). В то же время для пленок CrFe, содержащих 0-20% (ат.) железа, относительное магнетосопротивление заметно больше с нагретыми, чем с охлажденными при осаждении подложками.

В тонкопленочных образцах 83,9%Сг, 16,1 %Fe, осажденных на нагретые подложки, наблюдались довольно крупные кристаллические зерна - размером до 200 нм. Для образцов 83,1%Сг, 16,9%Fe, напыленных на охлажденные подложки, размер таких зерен гораздо меньше - всего лишь 70 нм. На крупных кристаллитах образцов 83,9%Сг, 16,1 %Fe различались небольшие пятна - размером до 2 нм. Предполагается, что такие пятна обусловливаются наличием обогащенной железом фазы.

Таким образом, варьируя состав пленок и технологические параметры их осаждения, можно получить однослойные гетерогенные тонкопленочные материалы с относительно большим магнетосопротивлением.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее