• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Кобальт-серебряные материалы

Кобальт-серебряные материалы
В последнее время разрабатываются элементы для магнитных накопителей информации с поверхностной плотностью более 15 Мбит/мм2. При достижении такой чрезвычайно высокой информационной плотности важную роль для изготовления высокочувствительных воспроизводящих элементов играют тонкопленочные магниторезистивные материалы.

Как показывает эксперимент, в однослойных магниторезистивных пленках кобальт-серебро при содержании кобальта около 38% относительное магнетосопротивление ∆р/р даже при комнатной температуре достаточно велико и составляет не менее 22%. После термообработки оно увеличивается до 28%.

Тонкопленочные образцы CoAg с разным содержанием кобальта выращивались на подложках из гранулированного стекла при магнетронном осаждении и температуре окружающей среды в атмосфере аргона при рабочем давлении около 1,5 Па. Толщина пленок составляла 500-600 нм. Пленки дважды подвергались термообработке при температуре 300 °С в вакууме около 1,5*10-4 Па в течение 30 мин.

Результаты рентгеноструктурных наблюдений напыленных пленок CoAg свидетельствуют о наличии сравнительно большого максимума, характерного для плоскости (111) кристаллической решетки серебра, и двух заметно меньших максимумов, один из которых соответствует плоскости (200), а другой - (222); при этом оба максимума относятся к одной и той же кристаллической решетке с гранецентрированной кубической структурой. Предполагается, что плоскости (111) гранецентрированной структуры кобальта перекрывается плоскостями (200) кристаллов серебра. Возрастание содержания кобальта сопровождается заметным уменьшением основного максимума дифракционного спектра. Наличие локальных отклонений состава приводит к возникновению обогащенных кобальтом кластеров.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее