• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Зависимость магнетосопротивления от напряженности магнитного поля

Зависимость магнетосопротивления от напряженности магнитного поля
Определенная зависимость относительного магнетосопротивления от напряженности внешнего магнитного поля при температуре 5 К показывает, что с возрастанием температуры отжига тонкопленочных образцов FeAg уменьшается напряженность магнитного поля насыщения: при Та = 480 °С она составляет примерно 400 кА/м, а при Ta = 605 °С - еще меньше (в то же время в тех же образцах нео- тожженных и отожженных при Та = 200 °С, насыщения не достигается даже при увеличении примерно на порядок напряженности внешнего магнитного поля).

Максимальная величина ∆р/р неотожженных образцов равна около 25%. С возрастанием температуры отжига с 200 до 605 °С модуль величины ∆р/р убывает примерно на 10%. Результирующее удельное электрическое сопротивление гранулированных металлов при заданной температуре можно определить как



где р0 - остаточное удельное электрическое сопротивление; p1(T) - фононная составляющая сопротивления; рт(Т) - магнитная составляющая сопротивления; F(M/Ms) - функция относительной намагниченности M/Ms, изменяющаяся монотонно в пределах от 0 до 1 (при убывании намагниченности М до нуля функция F(M/Ms) стремится также к нулю; если намагниченность доведена до насыщения, то F(M/Ms) =1).
Для большинства гранулированных материалов, магниторезистивные свойства которых известны, функция F(M/Ms) имеет сравнительно простой вид:



Небольшое отклонение от такой квадратичной функции, наблюдаемое с приближением намагниченности к насыщению, можно учесть с помощью дополнительного члена, содержащего (М/Мs)4. Для относительного магнетосопротивления можно получить



Предполагается, что гигантское магнетосопротивление гранулированных материалов обусловливается дополнительным рассеянием электронов проводимости на ориентированных ферромагнитных частицах, результирующая намагниченность которых в отсутствии внешнего магнитного поля равна нулю. Под действием магнитного поля происходит ориентация однодоменных частиц, дополнительное сопротивление постепенно убывает. При достижении намагниченности насыщения, когда полностью ориентированы все магнитные частицы, дополнительное сопротивление становится равным нулю.

Магнитная составляющая pm( Т) зависит от размеров и плотности магнитных частиц. Ориентация их магнитных моментов при этом также существенна. Следовательно, эффективность рассеяния электронов проводимости определяется не только наличием и плотностью магнитных частиц, но и их ориентацией.

Эксперимент показывает, что гигантское магнетосопротивление гранулированных материалов изотропно, т.е. его величина не зависит от ориентации напряженности внешнего магнитного поля относительно направления плотности задающего тока.

Магнитную составляющую результирующего электрического сопротивления можно определить по формуле



где p1(H1) - удельное электрическое сопротивление для Н1 = 400 кА/м.

Магнитная составляющая рm обратно пропорциональна размерам частиц, что свидетельствует о существенном вкладе рассеяния электронов на межфазных границах.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее