• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Характеристики пленок СоАu

Как видно из рис. 8.8, а, определенный в плоскости (111) параметр решетки d0 по-разному реагирует на изменение процентного содержания кобальта для неотожженных (кривая 1) и отожженных (кривая 2) тонкопленочных образцов СоАu. Если для неотожженных образцов с увеличением содержания кобальта от 40 до 64% (ат.) параметр d0 уменьшается почти по линейному закону от 0,231 до 0,222 нм, то для тех же, но отожженных образцов, более существенны изменения параметра d0 в интервале 50-64%(ат.)Со. С уменьшением процентного содержания значение d0 приближается к параметру d0 в плоскости (111) массивного материала золота, который равен 0,235 нм. Рассмотренное изменение параметра решетки в определенной степени характеризует метастабильное состояние твердого раствора СоАu.

Кроме того, содержание кобальта в тонкопленочных образцах СоАu значительно влияет на размер d кристаллических зерен (рис. 8.8, б). Для неотожженных образцов по мере возрастания содержания Со от 40 до 64% (ат.) d уменьшается по линейному закону примерно с 8 до 4 нм (рис. 8.8, б, кривая 1). После термообработки тонкопленочных образцов СоАu с небольшим содержанием кобальта



Рис. 8.8. Кристаллографические, магниторезистивные и магнитные характеристики пленок СоАu

размер кристаллических зерен существенно увеличивается, и с повышением содержания кобальта в отожженных образцах начинает проявляться (100)-текстура кобальта с гексагональной плотноупако- ванной структурой, что и обусловливает уменьшение размера кристаллитов с обогащением кобальтом пленок СоАu (см. рис. 8.8, б, кривая 2).

Экспериментальные зависимости относительного изменения электрического сопротивления ∆R/R в магнитном поле 1000 кА/м для тонкопленочных образцов СоАu с разным содержанием кобальта представлены на рис. 8.8, в, где кривые 1 и 2 соответствуют результатам, полученным до и после термического отжига. С уменьшением процентного содержания кобальта величина ∆R/R для неотожженных образцов сравнительно плавно увеличивается. В то же время величина ∆R/R максимальна и составляет приблизительно 2,3% для отожженных образцов СоАu с содержанием кобальта, приблизительно равным 50% (ат.). Кривая зависимости ∆R/R от содержания кобальта имеет, кроме того, и два минимума, соответствующие примерно 42 и 60% (ат.) Со (см. рис. 8.8, в, кривая 2).

Сравнительно небольшим изменением ∆R/R характеризуются пленки с содержанием кобальта, превышающим 57% (ат.), в которых наблюдалась инверсия, связанная с переходом гранулированной структуры в обогащенные золотом кластеры, внедренные в обогащенную кобальтом среду.

Увеличение процентного содержания кобальта приводит к незначительному, почти линейному, уменьшению коэрцитивной силы неотожженных пленок (см. рис. 8.8, г, кривая 1). Термический отжиг существенно меняет характер зависимости коэрцитивной силы Я от содержания кобальта (см. рис. 8.8, г, кривая 2). Коэрцитивная сила незначительно изменяется для пленок с возрастанием содержания кобальта примерно от 37 до 47% (ат.), а при увеличении содержания кобальта приблизительно до 53% (ат.) резко падает, достигая значения Нс неотожженных образцов, и приобретает осциллирующий характер при дальнейшем увеличении содержания кобальта.

Таким образом, исследованные тонкопленочные образцы СоАu с нанокристаллической структурой хотя и обладают магниторезистивным свойством, но величина относительного магнетосопротивления сравнительно мала, а поле насыщения достаточно велико, так что все вместе взятое нельзя считать благоприятными факторами при практическом применении тонкопленочных материалов с такими свойствами.

Общие сведения о накоплении информации

Появление наскальных рисунков и надписей свидетельствует о стремлении человека еще в древние времена сохранить...

читать далее

Электронная и рентгеновская литография

Электронная литография основана на сканировании электронного луча по пластине. Она широко применяется для производства...

читать далее

Фотонный компьютер

Одна из наиболее перспективных альтернатив процессорам и компьютерам на электронной основе - это использование фотонов...

читать далее