• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Туннельные магниторезистивные материалы

Туннельные магниторезистивные материалы
Результаты экспериментальных исследований показывают, что магниторезистивные пленки, осажденные из металлического ферромагнитного и неметаллического изолирующего материалов, обладают гигантским магнетосопротивлением. Ферромагнитным материалом может служить железо либо кобальт, а неметаллическим изолирующим - AlO или А12O3. Принято считать, что гигантское магнетосопротивление тонкопленочных материалов с такой структурой обусловливается туннельным эффектом. Поэтому подобные тонкопленочные материалы называются туннельными магниторезистивными.

Туннельные тонкопленочные материалы состоят из металлических островков - гранул, окруженных межкристаллическими областями оксида алюминия, удельное электрическое сопротивление которых сравнительно велико - более 104 мкОм*см. Оксидные области образуют туннельный переход - возникает туннельная проводимость, зависящая от ориентации намагниченности в магнитных гранулах.

Магниторезистивные и магнитные свойства рассматриваемых материалов с гранулированной структурой определяются многими факторами, среди которых наиболее существенны размеры гранул, обычно составляющие нанометры, и толщина межкристаллических областей.

Для формирования магниторезистивных образцов с различной гранулированной структурой применялся метод комбинированного осаждения из двух независимых мишеней из соответственно магнитного (Fe, Со) и оксидного (Аl2O3) материалов. Напыление осуществлялось на стеклянные подложки высокочастотным ионноплазменным способом в атмосфере аргона. Подложка закреплялась на держателе, вращающемся со скоростью 1,86 - 11,54 об./мин. Микроструктура напыленных образцов наблюдалась дифракционным рентгеноструктурным методом. Их намагниченность измерялась с помощью вибрационного магнетометра. Относительное магнетосопротивление определялось в магнитном поле около 800 кА/м. Все измерения проводились при комнатной температуре.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее