• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Туннельные магниторезистивные материалы

Туннельные магниторезистивные материалы
Результаты экспериментальных исследований показывают, что магниторезистивные пленки, осажденные из металлического ферромагнитного и неметаллического изолирующего материалов, обладают гигантским магнетосопротивлением. Ферромагнитным материалом может служить железо либо кобальт, а неметаллическим изолирующим - AlO или А12O3. Принято считать, что гигантское магнетосопротивление тонкопленочных материалов с такой структурой обусловливается туннельным эффектом. Поэтому подобные тонкопленочные материалы называются туннельными магниторезистивными.

Туннельные тонкопленочные материалы состоят из металлических островков - гранул, окруженных межкристаллическими областями оксида алюминия, удельное электрическое сопротивление которых сравнительно велико - более 104 мкОм*см. Оксидные области образуют туннельный переход - возникает туннельная проводимость, зависящая от ориентации намагниченности в магнитных гранулах.

Магниторезистивные и магнитные свойства рассматриваемых материалов с гранулированной структурой определяются многими факторами, среди которых наиболее существенны размеры гранул, обычно составляющие нанометры, и толщина межкристаллических областей.

Для формирования магниторезистивных образцов с различной гранулированной структурой применялся метод комбинированного осаждения из двух независимых мишеней из соответственно магнитного (Fe, Со) и оксидного (Аl2O3) материалов. Напыление осуществлялось на стеклянные подложки высокочастотным ионноплазменным способом в атмосфере аргона. Подложка закреплялась на держателе, вращающемся со скоростью 1,86 - 11,54 об./мин. Микроструктура напыленных образцов наблюдалась дифракционным рентгеноструктурным методом. Их намагниченность измерялась с помощью вибрационного магнетометра. Относительное магнетосопротивление определялось в магнитном поле около 800 кА/м. Все измерения проводились при комнатной температуре.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее