• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Температурная зависимость относительного магнетосопротивления

Тонкопленочные образцы СоАЮ с различной длительностью термического отжига имеют разное относительное магнетосопротивление ∆р/р, которое изменяется с ростом температуры (рис. 8.15).

Наибольшей величиной ∆р/р характеризуются неотожженные образцы (см. рис. 8.15, кривая 1). Для них увеличение температуры от 4 до 290 К приводит к монотонному уменьшению ∆р/р примерно от 14,2 до 8%.

При том же изменении температуры для отожженных в течение одного часа образцов ∆р/р уменьшается от 8 до 6% (см. рис. 8.15, кривая 2). Для тонкопленочных образцов, отожженных в течение 38 ч, на начальном участке температурной зависимости (4-30 К) ∆р/р возрастает с 2,4 до 5% и при дальнейшем увеличении температуры постепенно уменьшается приблизительно до 3,5% (см. рис. 8.15, кривая 3).


Можно предположить, что с возрастанием длительности отжига будет ослабевать туннельный эффект в гранулированной структуре СоАЮ, что приведет к уменьшению относительного магнетосопротивления.

Применение вычислительных средств

Возможность сочетания ЭВМ с существующими и вновь создаваемыми машинами и системами машин освобождает человека...

читать далее

Совершенствование тонкопленочной технологии в течение последних десятилетий позволило разместить все большее...

читать далее

Туннельно-резонансные диоды

К наноэлектронным приборам относятся туннельно-резонансные диоды. По структуре они напоминают своеобразный сэндвич...

читать далее