• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Получение тонкопленочных материалов

Получение тонкопленочных материалов
По мере увеличения размера зерен l удельное электрическое сопротивление р тонкопленочных образцов FeAlO монотонно уменьшается (рис. 8.16). При возрастании величины зерен l тех же образцов от 1,5 до 2,5 нм относительное магнетосопротивление ∆р/р убывает приблизительно от 4 до 2,5% (рис. 8.17).

Температура подложки Tn в процессе напыления существенно влияет на электрические (рис. 8.18), магниторезистивные (рис. 8.19) и магнитные (рис. 8. 20) свойства тонкопленочных образцов FeAlO с гранулированной структурой, осажденных при скорости вращения 11,5 обор./мин. При увеличении температуры подложки от комнатной до 500 °С удельное электрическое сопротивление р возрастает почти на порядок (см. рис. 8.18), а относительное магнетосопротивление ∆р/р, измеренное в магнитном поле напряженностью от 5,2 до 7 кГс (см. рис. 8.20), что можно объяснить появлением магнитных примесей в промежуточных областях Аl2O3.



Рис. 8.16. Влияние величины зерен на удельное электрическое сопротивление
Рис. 8.17. Зависимость относительного магнетосопротивления от величины зерен






Рис. 8.20. Влияние температуры подложки на намагниченность тонкопленочных образцов

Таким образом, при формировании гранулированных пленок с туннельным переходом при изменении технологических параметров (скорости вращения, температуры подложки) можно получить тонкопленочные материалы с разными электрическими, магниторезистивными и магнитными свойствами.

Память человека и память ЭВМ

Память - несомненно, один из важнейших атрибутов человека. Развитый, утонченный и вместе с тем изощренный аппарат...

читать далее

Для формирования элементов шириной менее 0,12 мкм предпочтительна проекционная ионно-пучковая литография...

читать далее

Использование фотонного кристалла для создания компьютера

Практической основой, на которой в будущем, по-видимому, будут реализованы все компоненты фотонного компьютера...

читать далее