• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Кобальтсодержащие туннельные пленки

Для создания высокочувствительных магниторезистивных преобразователей необходимы тонкопленочные материалы с относительно большим магнетосопротивлением. Таким магнетосопротивлением обладают тонкие многослойные пленки, в которых между магнитными слоями расположен диэлектрический слой, образующий туннельный переход. В зависимости от состава магнитных и диэлектрических слоев и технологических условий их напыления можно получить многослойные тонкопленочные материалы с разными магниторезистивными и электрическими свойствами.

Результаты экспериментальных исследований электрических и магниторезистивных свойств туннельного перехода в тонкопленочных многослойных образцах Co/Al2O3/Co/NiFe показывают, что их относительное магнетосопротивление может достигать 21% при комнатной температуре. Такая сравнительно большая величина относительного магнетосопротивления получена для тонкопленочных образцов с многослойной структурой: Со(10нм)/АlOх(2 нм)/Со(3 нм)/ NiFe(14 нм) для времени окисления t слоя алюминия 30-35 с в смеси газов кислорода и аргона. При возрастании времени окисления от 25 до 40 с электрическое сопротивление рассматриваемых образцов увеличилось примерно от 5 до 10 кОм. При том же изменении времени окисления относительное магнетосопротивление возрастало от 15 до 21% только при увеличении t от 25 до 30 с, и при дальнейшем его возрастании оно существенно не изменилось. Таким образом, управляя процессом окисления промежуточного алюминиевого слоя, можно изменять электрические и магнитные свойства многослойных тонкопленочных материалов с туннельным переходом.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее