• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Кобальтсодержащие туннельные пленки

Для создания высокочувствительных магниторезистивных преобразователей необходимы тонкопленочные материалы с относительно большим магнетосопротивлением. Таким магнетосопротивлением обладают тонкие многослойные пленки, в которых между магнитными слоями расположен диэлектрический слой, образующий туннельный переход. В зависимости от состава магнитных и диэлектрических слоев и технологических условий их напыления можно получить многослойные тонкопленочные материалы с разными магниторезистивными и электрическими свойствами.

Результаты экспериментальных исследований электрических и магниторезистивных свойств туннельного перехода в тонкопленочных многослойных образцах Co/Al2O3/Co/NiFe показывают, что их относительное магнетосопротивление может достигать 21% при комнатной температуре. Такая сравнительно большая величина относительного магнетосопротивления получена для тонкопленочных образцов с многослойной структурой: Со(10нм)/АlOх(2 нм)/Со(3 нм)/ NiFe(14 нм) для времени окисления t слоя алюминия 30-35 с в смеси газов кислорода и аргона. При возрастании времени окисления от 25 до 40 с электрическое сопротивление рассматриваемых образцов увеличилось примерно от 5 до 10 кОм. При том же изменении времени окисления относительное магнетосопротивление возрастало от 15 до 21% только при увеличении t от 25 до 30 с, и при дальнейшем его возрастании оно существенно не изменилось. Таким образом, управляя процессом окисления промежуточного алюминиевого слоя, можно изменять электрические и магнитные свойства многослойных тонкопленочных материалов с туннельным переходом.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее