• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Термическая обработка кобальтсодержащих пленок

Результаты экспериментальных исследований показывают, что термическая обработка тонкопленочных образцов с туннельным эффектом существенно влияет на их магниторезистивные свойства. Тонкопленочные образцы с многослойной структурой IrMn/CoFe/ AlOx/CoFe/AlOx/CoFe/IrMn подвергались термическому отжигу при температуре 175-400 °С. На кривой зависимости относительного магнетосопротивления ∆р/р от температуры отжига наблюдался максимум ∆p/p = 40% при 325 °С. При этом с увеличением температуры отжига от 150 до 325 °С величина ∆р/р возрастает примерно от 20 до 40%, а дальнейшее увеличение температуры отжига от 325 до 400 °С привело к уменьшению ∆р/р приблизительно с 40 до 8%. Предполагается, что туннельный переход в рассматриваемых магниторезистивных образцах формируется при активной диффузии молекул марганца через магнитный слой CoFe и процесса окисления, что подтверждается наблюдениями с помощью электронного микроскопа.

Из многослойных тонкопленочных материалов изготавливаются магниторезистивные преобразователи для воспроизведения записанной информации. Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей и их частотная характеристика существенно зависят от электрического сопротивления и относительного магнетосопротивления туннельного перехода. В результате применения ионно-лучевой технологии удалось сформировать магниторезистивный туннельный переход на магнитном экранирующем элементе и уменьшить электрическое сопротивление туннельного перехода до 3,6 Ом*м2, сохранив сравнительно большую величину относительного магнетосопротивления - примерно 14 %. Для данного перехода вместо диэлектрической прослойки Аl2O3 напылялась прослойка SiO2, что привело к уменьшению электроемкости туннельного перехода.

Все это вместе взятое способствовало заметному уменьшению импеданса тонкопленочного магниторезистивного преобразователя и, следовательно, улучшению его частотной характеристики. Оценка показала, что с помощью рассматриваемого магниторезистивного преобразователя можно воспроизводить сигнал, записанный с довольно высокой поверхностной плотностью записи (100 Гбит/дюйм2) при скорости передачи информации - не менее 800 Мбит/с.

Таким образом, подбирая оптимальные технологические условия формирования диэлектрических слоев в многослойных пленках, можно получить туннельный переход с относительно большим магнетосопротивлением. Многослойные тонкопленочные материалы с такими свойствами применяются для создания высокочувствительных магниторезистивных преобразователей.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее