• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Термическая обработка кобальтсодержащих пленок

Результаты экспериментальных исследований показывают, что термическая обработка тонкопленочных образцов с туннельным эффектом существенно влияет на их магниторезистивные свойства. Тонкопленочные образцы с многослойной структурой IrMn/CoFe/ AlOx/CoFe/AlOx/CoFe/IrMn подвергались термическому отжигу при температуре 175-400 °С. На кривой зависимости относительного магнетосопротивления ∆р/р от температуры отжига наблюдался максимум ∆p/p = 40% при 325 °С. При этом с увеличением температуры отжига от 150 до 325 °С величина ∆р/р возрастает примерно от 20 до 40%, а дальнейшее увеличение температуры отжига от 325 до 400 °С привело к уменьшению ∆р/р приблизительно с 40 до 8%. Предполагается, что туннельный переход в рассматриваемых магниторезистивных образцах формируется при активной диффузии молекул марганца через магнитный слой CoFe и процесса окисления, что подтверждается наблюдениями с помощью электронного микроскопа.

Из многослойных тонкопленочных материалов изготавливаются магниторезистивные преобразователи для воспроизведения записанной информации. Уровень сигнала воспроизведения магниторезистивных преобразователей и их частотная характеристика существенно зависят от электрического сопротивления и относительного магнетосопротивления туннельного перехода. В результате применения ионно-лучевой технологии удалось сформировать магниторезистивный туннельный переход на магнитном экранирующем элементе и уменьшить электрическое сопротивление туннельного перехода до 3,6 Ом*м2, сохранив сравнительно большую величину относительного магнетосопротивления - примерно 14 %. Для данного перехода вместо диэлектрической прослойки Аl2O3 напылялась прослойка SiO2, что привело к уменьшению электроемкости туннельного перехода.

Все это вместе взятое способствовало заметному уменьшению импеданса тонкопленочного магниторезистивного преобразователя и, следовательно, улучшению его частотной характеристики. Оценка показала, что с помощью рассматриваемого магниторезистивного преобразователя можно воспроизводить сигнал, записанный с довольно высокой поверхностной плотностью записи (100 Гбит/дюйм2) при скорости передачи информации - не менее 800 Мбит/с.

Таким образом, подбирая оптимальные технологические условия формирования диэлектрических слоев в многослойных пленках, можно получить туннельный переход с относительно большим магнетосопротивлением. Многослойные тонкопленочные материалы с такими свойствами применяются для создания высокочувствительных магниторезистивных преобразователей.

Будущее магнитных носителей

В развитии современного общества важнейшую роль играют накопление и рациональное потребление информации. Суммарное...

читать далее

Микро- и наноэлектроника

Характерная особенность современного естествознания - рождение новых, быстро развивающихся наук на базе фундаментальных...

читать далее

Предполагается, что КМОП-схемы могут стать основой для элементной базы даже высокоскоростных микропроцессоров...

читать далее