• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Создание модификаций транзистора

Создание модификаций транзистора
Совершенствование различных полупроводниковых приборов способствовало развитию микроэлектронных технологий, позволивших создать не только качественные и надежные транзисторы, но и интегральные схемы, а затем большие и сверхбольшие интегральные схемы, на базе которых производилась и производится разнообразная электронная техника, включая современную аудио- и видеоаппаратуру, быстродействующие ЭВМ и т.п.

Первое промышленное производство полупроводниковых приборов началось в середине 50-х годов XX в. после разработки технологии зонной очистки для равномерного распределения примесей в кристаллах. В 1955 г. созданы транзисторы со сплавными и p-n-переходами, а затем - дрейфовые и сплавные с диффузией.

Самая первая модификация транзистора - биполярный транзистор — имел форму цилиндра с тремя выводами соответственно от эмиттера (т.е. части транзистора, из которой поступает ток), коллектора (пункта назначения электронов) и от регулирующей части - базы. Будучи своеобразной «заслонкой», база либо способствовала, либо препятствовала потоку электронов.

Биполярная структура представляет собой упорядоченную совокупность областей с электронной и дырочной проводимостью, сформированных в кристалле полупроводника для создания на их основе биполярных транзисторов, полевых транзисторов с управляемым переходом и т.п.

Полевой транзистор - транзистор, в котором изменение тока происходит под действием перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в нем обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие транзисторы называются также униполярными (в отличие от биполярных).

В 1957 г. американский инженер Г. Кремер изобрел и запатентовал гетероструктурный транзистор, состоящий из нескольких слоев полупроводникового материала - соединения галлия с различными присадками. Такой транзистор отличался от биполярного более высоким быстродействием. Позднее Г. Кремер предложил идею гетероструктурного лазера. Одновременно и независимо от Г. Креме- ра эту же идею запатентовали российские ученые Ж. Алферов и Р. Казаринов из Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе. В 1970 г. в этом же институте был создан гетероструктурный лазер, способный (в отличие от его аналогов) непрерывно работать при комнатной температуре.

В 1958 г. американский инженер Д. Килби предложил конструкцию микросхемы, в которой весь набор электронных элементов в виде слоев различных материалов располагался на одной пластине из германия. Эта конструкция оказалась основополагающей для изготовления интегральных схем с многослойной структурой, включающей множество транзисторов и других элементов, которые компонуются на одной пластине с применением тонкопленочной групповой технологии, заключающейся в последовательном формированы элементов. Интегральные схемы составляют техническую базу информационных технологий. За их разработку группа ученых Ж. Алферов, Г. Кремер и Д. Килби удостоены Нобелевской премии по физике 2000 г.

Компьютерная сеть

Возможности персонального компьютера существенно расширяются за счет использования компьютерных сетей...

читать далее

Современные средства нанотехнологий

Принцип работы различных электронно-вычислительных машин, в том числе и персональных компьютеров, производимых на протяжении...

читать далее

Квантовые компьютеры

В модернизации элементной базы компьютеров, основанной на традиционном электронном принципе, есть фундаментальное...

читать далее