• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Создание модификаций транзистора

Создание модификаций транзистора
Совершенствование различных полупроводниковых приборов способствовало развитию микроэлектронных технологий, позволивших создать не только качественные и надежные транзисторы, но и интегральные схемы, а затем большие и сверхбольшие интегральные схемы, на базе которых производилась и производится разнообразная электронная техника, включая современную аудио- и видеоаппаратуру, быстродействующие ЭВМ и т.п.

Первое промышленное производство полупроводниковых приборов началось в середине 50-х годов XX в. после разработки технологии зонной очистки для равномерного распределения примесей в кристаллах. В 1955 г. созданы транзисторы со сплавными и p-n-переходами, а затем - дрейфовые и сплавные с диффузией.

Самая первая модификация транзистора - биполярный транзистор — имел форму цилиндра с тремя выводами соответственно от эмиттера (т.е. части транзистора, из которой поступает ток), коллектора (пункта назначения электронов) и от регулирующей части - базы. Будучи своеобразной «заслонкой», база либо способствовала, либо препятствовала потоку электронов.

Биполярная структура представляет собой упорядоченную совокупность областей с электронной и дырочной проводимостью, сформированных в кристалле полупроводника для создания на их основе биполярных транзисторов, полевых транзисторов с управляемым переходом и т.п.

Полевой транзистор - транзистор, в котором изменение тока происходит под действием перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в нем обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие транзисторы называются также униполярными (в отличие от биполярных).

В 1957 г. американский инженер Г. Кремер изобрел и запатентовал гетероструктурный транзистор, состоящий из нескольких слоев полупроводникового материала - соединения галлия с различными присадками. Такой транзистор отличался от биполярного более высоким быстродействием. Позднее Г. Кремер предложил идею гетероструктурного лазера. Одновременно и независимо от Г. Креме- ра эту же идею запатентовали российские ученые Ж. Алферов и Р. Казаринов из Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе. В 1970 г. в этом же институте был создан гетероструктурный лазер, способный (в отличие от его аналогов) непрерывно работать при комнатной температуре.

В 1958 г. американский инженер Д. Килби предложил конструкцию микросхемы, в которой весь набор электронных элементов в виде слоев различных материалов располагался на одной пластине из германия. Эта конструкция оказалась основополагающей для изготовления интегральных схем с многослойной структурой, включающей множество транзисторов и других элементов, которые компонуются на одной пластине с применением тонкопленочной групповой технологии, заключающейся в последовательном формированы элементов. Интегральные схемы составляют техническую базу информационных технологий. За их разработку группа ученых Ж. Алферов, Г. Кремер и Д. Килби удостоены Нобелевской премии по физике 2000 г.

Тонкопленочная магнитная головка с магниторезистивным элементом

Эксперимент показал, что средства перпендикулярной записи, включающие тонкопленочную магнитную головку для записи...

читать далее

Исследование сигнала воспроизведения показало, что условия термообработки сильно влияют на характеристики записи...

читать далее

Форма и амплитуда сигнала воспроизведения зависят и от размеров магнитных экранов. С уменьшением толщины экранирующих...

читать далее