• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


МОП- и МДП-структура

МОП- и МДП-структура
Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием по левого транзистора, выполняющего функцию резистора, управляемого напряжением. Типичный полевой транзистор имеет структуру металл-оксид-полупроводник и носит название МОП-транзистор. Предполагается, что модифицированная схема МОП-транзисторных схем будет применяться при создании наиболее перспективных интегральных схем.

Наибольшее распространение получила МДП-структура (металл диэлектрик-полупроводник-структура). Она представляет собой упорядоченную совокупность тонких (менее 1 мкм) слоев металла и ди электрика, нанесенных на полупроводниковую пластину. На ее основе создаются МДП-транзисторы, МДП-конденсаторы, приборы зарядовой связью, МДП-фотоэлектронные умножители и другие приборы. В качестве диэлектрика обычно используют диоксид кремния (SiO2) - МОП-структура (металл-оксид-полупроводник-структура), оксид алюминия (Аl2O3) и другие диэлектрики в сочетании Si02, например двухслойный диэлектрик (SiO2-Si3N4) - МНОГ структура (металл-нитрид-оксид-полупроводник-структура).

Широко применяется МОП-струкгура на кремнии со слоем SiO полученным термическим окислением кремния. При создани МОП-структуры на основе других полупроводниковых материале (например, GaAs, InP) сначала формируется подслой, например Ga2O3 посредством анодного окисления полупроводника, а затем поверх него наносится при помощи пиролиза кремнийсодержащих соединений или другим способом слой SiO2. На основе МОП-структур изготавливают полевые транзисторы с изолированным затвором, МОП-конденсаторы, монолитные интегральные схемы и др.

Развитие дискретной полупроводниковой техники и возможность автоматизации производства привели к интеграции. Эта идея не нова. Еще до Второй мировой войны предпринималась попытка изготовить интегральное устройство, объединяющее резистор с конденсатором для катодной цепи электровакуумной лампы. Однако технология того времени не позволила ее реализовать.

Прогресс интеграции в полупроводниковом производстве пришел со стороны технологии в электронном материаловедении. В 1960 г. был предложен метод изготовления транзисторов в тонкопленочном слое, выращенном на монокристаллической подложке. В результате удалось на прочной толстой подложке создать транзисторы с тонкой базой. Появилась возможность разработки высокочастотных транзисторов большой мощности. Тонкопленочные транзисторы вместе с тонкопленочными проводниками располагались на одной пластине. Их стали называть интегральными схемами.

Проблема воспроизведения живого образа

Одна из важнейших сфер применения магнитной записи - различные аппараты записи и воспроизведения звука и изображения...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее


калькулятор монтажа пожарной сигнализации
xcom.ru