• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


МОП- и МДП-структура

МОП- и МДП-структура
Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием по левого транзистора, выполняющего функцию резистора, управляемого напряжением. Типичный полевой транзистор имеет структуру металл-оксид-полупроводник и носит название МОП-транзистор. Предполагается, что модифицированная схема МОП-транзисторных схем будет применяться при создании наиболее перспективных интегральных схем.

Наибольшее распространение получила МДП-структура (металл диэлектрик-полупроводник-структура). Она представляет собой упорядоченную совокупность тонких (менее 1 мкм) слоев металла и ди электрика, нанесенных на полупроводниковую пластину. На ее основе создаются МДП-транзисторы, МДП-конденсаторы, приборы зарядовой связью, МДП-фотоэлектронные умножители и другие приборы. В качестве диэлектрика обычно используют диоксид кремния (SiO2) - МОП-структура (металл-оксид-полупроводник-структура), оксид алюминия (Аl2O3) и другие диэлектрики в сочетании Si02, например двухслойный диэлектрик (SiO2-Si3N4) - МНОГ структура (металл-нитрид-оксид-полупроводник-структура).

Широко применяется МОП-струкгура на кремнии со слоем SiO полученным термическим окислением кремния. При создани МОП-структуры на основе других полупроводниковых материале (например, GaAs, InP) сначала формируется подслой, например Ga2O3 посредством анодного окисления полупроводника, а затем поверх него наносится при помощи пиролиза кремнийсодержащих соединений или другим способом слой SiO2. На основе МОП-структур изготавливают полевые транзисторы с изолированным затвором, МОП-конденсаторы, монолитные интегральные схемы и др.

Развитие дискретной полупроводниковой техники и возможность автоматизации производства привели к интеграции. Эта идея не нова. Еще до Второй мировой войны предпринималась попытка изготовить интегральное устройство, объединяющее резистор с конденсатором для катодной цепи электровакуумной лампы. Однако технология того времени не позволила ее реализовать.

Прогресс интеграции в полупроводниковом производстве пришел со стороны технологии в электронном материаловедении. В 1960 г. был предложен метод изготовления транзисторов в тонкопленочном слое, выращенном на монокристаллической подложке. В результате удалось на прочной толстой подложке создать транзисторы с тонкой базой. Появилась возможность разработки высокочастотных транзисторов большой мощности. Тонкопленочные транзисторы вместе с тонкопленочными проводниками располагались на одной пластине. Их стали называть интегральными схемами.

Интернет

Интернет

09.12.11

Развитие Интернета начинается с 1961 г., когда в США была создана экспериментальная сеть для оперативной передачи информации...

читать далее

Понятие литографии

Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины...

читать далее

Попытки создания квантового компьютера

Основные проблемы создания квантового компьютера вытекают из его природы: чтобы решить какую-либо задачу, необходимо...

читать далее


калькулятор монтажа пожарной сигнализации
xcom.ru