• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Понятие литографии

Понятие литографии
Современная технология интегральных схем включает следующие операции. Вначале верхний слой кремниевой пластины, служащий основой микросхемы, окисляется. Образовавшийся слой диэлектрика покрывается слоем фоторезиста - светочувствительного материала - и облучается ультрафиолетовым светом через шаблон с рисунком принципиальной схемы. Облученные участки становятся устойчивыми к травлению, в результате которого остается нетронутым слой диэлектрика в тех местах, где нет элементов схемы. Там, где они есть, диэлектрик удаляется вплоть до поверхности кремниевой пластины.

Технологический процесс изготовления элементов интегральной схемы, включающий нанесение фоторезиста, облучение и травление, называется литографией. Литография - основной процесс в производстве современных интегральных схем. Она определяет минимальный размер элемента на кристалле, производительность и стоимость технологии. В настоящее время ведущие компании, производящие интегральные схемы, используют кремниевые кристаллы площадью 400 мм2 (для логических схем) и 200 мм2 (для схем памяти) при минимальном топологическом размере 0,2-0,3 мкм. На рис. 2.2 показана наиболее вероятная динамика изменения основных технологических характеристик ультрабольших интегральных схем: минимального топологического размера (кривая I), размера кристалла (кривая 2) для динамической оперативной памяти (ДОЗУ): емкость дана в Мбит(М) и Гбит(G).

Предполагается, что к 2007 г. минимальный топологический размер уменьшится до 0,1 мкм, а емкость ДОЗУ увеличится до 16 Гбит. Соответственно размер кристалла достигнет 1000 мм2. Стоимость производства, приведенная к 1 см2 кристалла, изменится незначительно (с 4 долл./см2 в 1993-1995 гг. до 3,5 долл./см2 в 2007 г.), а доля стоимости операций литографии в общей стоимости производства сохранится на уровне 35%.



Рис. 2.2. Динамика изменения технологических характеристик интегральных схем

По мнению многих специалистов, доминирующей вплоть до минимального размера 0,1 мкм остается оптическая литография, обеспечивающая высокую производительность и разрешающую способность технологического процесса с использованием кристаллов сравнительно больших размеров.

В производстве интегральных схем с топологическим размером менее 0,1 мкм будет применяться электронная, рентгеновская и ионная литография.

Будущее магнитных носителей

В развитии современного общества важнейшую роль играют накопление и рациональное потребление информации. Суммарное...

читать далее

Микро- и наноэлектроника

Характерная особенность современного естествознания - рождение новых, быстро развивающихся наук на базе фундаментальных...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее