• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Интеграция технологических процессов

Усложнение интегральных схем влечет значительный рост затрат на освоение производства с традиционной архитектурой. Поэтому в качестве альтернативы разрабатываются проекты заводов с мини-атмосферами в местах обработки пластин и их транспортом в замкнутых сверхчистых объемах. При этом оборудование можно размещать в помещениях более низкого класса чистоты. Построенные заводы с мини-атмосферами обладают преимуществом - затраты на их строительство сокращаются в 5 раз: с 2 млрд долл. для традиционного завода до 400 млн долл. для завода с миниатмосферами.

Сегодня можно говорить о переходе от сверхчистых помещений с людьми в скафандрах к чистым помещениям с пластинами в сверхчистых мини-атмосферах.

Идея интеграции технологических процессов - это логическое продолжение проектирования завода с мини-атмосферами. Она реализуется с помощью замкнутых транспортных линий с контролируемой атмосферой - чистым воздухом или инертным газом.

При интеграции технологических процессов важную роль играет контроль загрязнения пластин. Основные требования к качеству очистки рабочей поверхности пластины представлены в табл. 2.2.


Ощутимый вклад в загрязнение пластин вносят сами технологические процессы. Например, процессы травления, распыления, имплантации и др. загрязняют пластины металлическими частицами, различными примесями и т.п. Так, традиционное реактивноионное травление не удовлетворяет некоторым требованиям к уровню вносимых загрязнений. Из-за относительно высокого давления при таком процессе (0,1 тор) плазма в радиочастотном разряде становится существенным источником загрязнений.

Для уменьшения уровня загрязнений необходимо совершенствовать не только технологические процессы, но и оборудование за счет снижения давления в рабочих камерах, а также уменьшения температуры и времени обработки пластин.

Технологические процессы, кроме того, могут вносить дефекты в поверхностный слой кремния. Электрически активные дефекты образуются, например, при плазмостимулированном процессе, приводящем к нарушению поверхностного слоя кремния толщиной до 3 нм. Другая разновидность дефектов, вносимых плазмой, обусловливается зарядовой неоднородностью плазмы. Предотвращение образования подобных дефектов - весьма важная и довольно сложная задача в совершенствовании технологических процессов.

Вычислительные машины на базе электронных ламп

Новая модификация вычислительных машин на базе электронных ламп работала в тысячу раз быстрее. В основу разработки следующей...

читать далее

Создание модификаций транзистора

Совершенствование различных полупроводниковых приборов способствовало развитию микроэлектронных технологий...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее