• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Тенденция к усложнению интегральных схем

Тенденция к усложнению интегральных схем
Тенденция к усложнению интегральных схем - от больших (БИС) в 70-х годах, сверхбольших (СБИС) в 80-х годах до ультра- больших (УБИС) в 90-х и гигантских (ГИС) после 2000 г. - выражается прежде всего в увеличении числа транзисторов п на кристалле, что показано на рис 2.5, где приведены данные для логических схем и обозначены лидирующие технологии.

Многие годы в производстве интегральных схем ведущей была технология МОП-транзисторных схем. Для специальных применений разрабатывались биполярные схемы (БИС), на долю которых приходилось не более 10% общего объема производимых интегральных схем.
Биполярные транзисторы характеризуются более высоким быстродействием при работе на большую емкостную нагрузку, чем полевые. Поэтому с развитием технологии были разработаны БиКМОП-схемы, удачно сочетающие достоинства биполярных и КМОП-транзисторов, потребляющих незначительную мощность в


Рис. 2.5. Динамика увеличения числа транзисторов на кристалле

статическом режиме. Благодаря замене части МОП-транзисторов быстродействие интегральной схемы повысилось в 10 раз. И все же, несмотря на такое преимущество, из-за большого числа технологических операций и соответственно более высокой стоимости (в 2- 20 раз по сравнению с КМОП-схемами) БиКМОП-схемы, вероятно, будут производиться лишь для специального применения. В этой связи в ближайшем будущем КМОП-технология изготовления цифровых схем останется доминирующей (см. рис. 2.5).

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Развитие магнитных накопителей

Первый магнитный накопитель информации на жестком диске «Ramac-305» разработан в 1956 г. в лаборатории фирмы...

читать далее