• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


КМОП-схемы

Предполагается, что КМОП-схемы могут стать основой для элементной базы даже высокоскоростных микропроцессоров. Однако увеличение степени интеграции потребует решения ряда проблем:

- создание на кристалле систем высоконадежных межсоединений (необходимое число уровней межсоединений в логических схемах в ближайшие годы возрастет до 7-8);
- устранение ограничений, вносимых затуханием сверхскоростных импульсов в межсоединениях;
- отвод тепла и (или) уменьшение потребляемой мощности (рассеиваемая мощность существенно возрастет при увеличении быстродействия даже в КМОП-схемах).

Основные требования к технологии многоуровневых соединений разрабатываемых интегральных схем приведены в табл. 2.3.

Таблица 2.3


Одна из ключевых проблем разработки глубоко субмикронных кремниевых схем - достижение контактных сопротивлений в диапазоне 10-7-10-8 Ом*см2. При контактном сопротивлении 5*10-7Ом*см2 быстродействие КМОП-вентиля на транзисторах с каналами 0,1 мкм в 1,5 раза меньше теоретически возможного значения.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Развитие магнитных накопителей

Первый магнитный накопитель информации на жестком диске «Ramac-305» разработан в 1956 г. в лаборатории фирмы...

читать далее