Силицидная технология

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана на кристалл со вскрытыми контактными областями стока и истока. После термического отжига в результате твердофазной реакции титана и кремния в областях контактов к стоку и истоку, а также на поли- кремниевом затворе образуются слои дисилицида титана. Оставшиеся на окисленном слое фрагменты титана удаляются селективным жидкостным травлением. Однако при такой технологии из-за сравнительно высокой температуры отжига (900 °С) возможна деградация супермелкозалегающих p-n-переходов, которая обусловливается, во-первых, интенсивной диффузией атомов примеси в силицид- ный слой и, во-вторых, продвижением металлической границы силицид-кремний вглубь кристалла из-за преимущественной диффузии кремния в пленку титана.

В Физико-технологическом институте РАН (ФТИРАН) под руководством академика К.А. Валиева разработан новый способ создания самосовмещенных силицидных контактов с супермелкозалегающим p-n-переходом. Способ основан на применении процесса, подобного молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ-подобный процесс) и заключается в совместном испарении титана и кремния с определенным соотношением потоков на нагретую до 675 °С подложку со скоростями около 0,1 нм/с. Этот способ позволяет уменьшить расход кремния подложки и предотвращает диффузию атомов примеси в пленку силицида. При этом контактные сопротивления не превышают 10^-7 Ом*см².