• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные преобразователи

Магниторезистивные преобразователи
Поверхностная плотность записи информации с применением магниторезистивных преобразователей составила в 1990 г. 1 Гбит/дюйм2, а в 2001 г. - 106 Гбит/дюйм2 (такой чрезвычайно высокой плотностью обладает магнитный накопитель, разработанный японской фирмой Fujitsu). Магниторезистивное воспроизведение информации позволяет реализовать большие возможности магнитной записи со сверхвысокой плотностью, так как оно обеспечивает сравнительно высокий уровень сигнала воспроизведения без резонансного LC-шума, препятствующего повышению уровня сигнал-шум при воспроизведении информации индуктивной магнитной головкой.

Информационная плотность 106 Гбит/дюйм2 достигнута с применением воспроизводящих магниторезистивных элементов с гигантским магнетосопротивлением, обусловленным спин-вентиль- ным переходом. Относительное магнетосопротивление таких элементов составляет примерно 8% и зависит от многих параметров его многослойной структуры, включающей магнитный, диэлектрический, электропроводящий и другие слои.

Значительно большим магнетосопротивлением обладают магниторезистивные материалы с туннельным переходом: ферромагнитный металл-диэлектрик-ферромагнитный металл. Их относительное магнетосопротивление может достигать 40 %, и такой материал можно считать вполне перспективным при разработке магнитных накопителей на жестких дисках со сверхвысокой поверхностной плотностью записи информации.

Возможны две конфигурации магниторезистивных преобразователей с туннельным переходом: в одной из них задающий ток пропускается в плоскости магниторезистивного элемента, а в другой - перпендикулярно ей. В преобразователях с магниторезистивным элементом со спин-вентильным переходом задающий ток пропускается в плоскости элемента, а в преобразователях с туннельным переходом обычно используется перпендикулярная конфигурация, при которой даже при сравнительно небольших размерах магниторезистивного элемента можно получить вполне приемлемый уровень сигнала воспроизведения, что свидетельствует о предпочтении такой конфигурации при записи информации со сверхвысокой плотностью.

Магниторезистивные преобразователи перпендикулярной конфигурации с относительно небольшим электрическим сопротивлением имеют ряд преимуществ: сравнительно высокий уровень сигнала воспроизведения, приемлемое отношение сигнал-шум, неплохую помехозащищенность и небольшую ширину чувствительного элемента. Предполагается, что с помощью таких преобразователей в перспективных накопителях информации удастся увеличить поверхностную плотность записи до 300 Гбит/дюйм2.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее