• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Слой записи с антиферромагнитной структурой

Слой записи с антиферромагнитной структурой
Результаты экспериментальных исследований показывают, что при записи информации на носителе с рабочим слоем, в котором создана антиферромагнитная структура, можно увеличить поверхностную плотность информации примерно в 1,75 раз по сравнению с плотностью в обычном носителе с продольной записью. В таком рабочем слое в смежных областях между переходами векторы намагниченности в магнитных слоях, разделенных тонким слоем рутения, ориентированы взаимно противоположно. Это означает, что распределение намагниченности в рабочем слое соответствует искусственно созданной антиферромагнитной структуре. Подобная структура формируется, например, в многослойной среде, состоящей из последовательно осажденных на подложку NiP/Al-Mg тонкопленочных слоев Cr, CoCrPtB, Ru, CoCrPtB. В данной среде антиферромагнитное взаимодействие возникает между магнитными слоями CoCrPtB, разделенными прослойкой Ru. Осаждение слоев производилось магнетронным способом на покрытую NiP подложку. В процессе осаждения всех слоев контролировалась их кристаллическая текстура, влияющая на магнитные свойства многослойной структуры.

Один из важнейших магнитных параметров - коэрцитивная сила - для обычного однослойного носителя не превышает 100 кА/м. В многослойном носителе с антиферромагнитной структурой коэрцитивная сила значительно больше, и она существенно зависит от толщины основного магнитного слоя CoCrPtB - поверхностного слоя носителя. Так, с увеличением его толщины от 0 до 5 нм коэрцитивная сила многослойной структуры монотонно возрастает от 238 до 281 кА/м, а при дальнейшем ее увеличении она заметно уменьшается.

На основе магнитного носителя с рассмотренной многослойной антиферромагнитной структурой японская фирма Fujitsu создала накопитель информации, в котором поверхностная плотность достигает 106 Гбит/дюйм2, скорость передачи информации - около 16,1 Мбит/с. Коэрцитивная сила рабочего слоя - приблизительно 314 кА/м. Для записи использовался магнитный преобразователь с шириной тонкопленочного элемента 0,162 мкм. Воспроизведение производилось с помощью магниторезистивного преобразователя с высокочувствительным элементом со спин-вентильным переходом.

Интернет

Интернет

09.12.11

Развитие Интернета начинается с 1961 г., когда в США была создана экспериментальная сеть для оперативной передачи информации...

читать далее

Современные средства нанотехнологий

Принцип работы различных электронно-вычислительных машин, в том числе и персональных компьютеров, производимых на протяжении...

читать далее

Квантовые компьютеры

В модернизации элементной базы компьютеров, основанной на традиционном электронном принципе, есть фундаментальное...

читать далее