• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Разработки в области многослойной записи

Разработки в области многослойной записи
Введение подслоя из аморфного углерода способствует улучшению магнитных свойств и характеристик записи-воспроизведения носителя с однослойным CoCrPtTa и многослойным Co/Pd рабочими слоями. Оба вида рабочих слоев формировались магнетронным осаждением при начальном давлении не более 2,7-10~5Па и температуре подложки 270-290 °С. Основной слой Со(73%), Сг(18%), Pt(6%), Та(3%) толщиной 50 нм осаждался на слой Со(60%), Сг(40%), напыленный в свою очередь на подслой аморфного углерода, нанесенного непосредственно на стеклянную подложку. В другом виде рабочего слоя многослойная структура содержала 20 пар чередующихся слоев Co/Pd. Она формировалась также на аморфном углеродном подслое.

С увеличением толщины аморфного углеродного слоя от 0 до 30 нм коэрцитивная сила рабочего слоя с многослойной структурой Со/ Pd увеличилась со 120 до 400 кА/м. Дальнейшее увеличение его толщины не привело к заметному изменению величины коэрцитивной силы. Улучшение магнитных свойств Co/Pd позволило получить вполне приемлемое отношение сигнал-шум при воспроизведении сигнала с продольной плотностью вплоть до 16 000 бит/мм.

С введением аморфного углеродного слоя толщиной 60 нм коэрцитивная сила рабочего слоя CoCrPtTa увеличилась со 120 до 240 кА/м, при этом отношение сигнал-шум осталось в допустимых пределах при воспроизведении информации, записанной с продольной плотностью вплоть до 10 000 бит/мм.

Сравнительно высокая коэрцитивная сила (около 580 кА/м) получена для тонкопленочных многослойных образцов CoCrPt(40 нм)/CoCrPtTa(20 HM)/Ti (25 нм). Данные образцы осаждались магнетронным высокочастотным способом на стеклянные подложки. После осаждения многослойные образцы подвергались термообработке в вакууме 1,3-10~3Па при температуре 400-600°С в течение 30 мин.

Измерения показали, что при увеличении толщины титанового слоя от 5 до 25 нм коэрцитивная сила рассматриваемых многослойных образцов возрастает от 440 до 580 кА/м после термообработки при температуре 500 °С. При этом достигается относительно большое значение скважности кривой перемагничивания, составляющее 0,98. Полученные результаты представляют практический интерес для разработчиков носителей перпендикулярной магнитной записи с высокой плотностью записи информации.
Таким образом, многослойные тонкопленочные материалы обладают сравнительно большой коэрцитивной силой, что важно при повышении плотности записи информации в новых модификациях магнитных накопителей. Не менее важно и то, что многослойные магниторезистивные, материалы для чувствительных элементов тонкопленочных преобразователей по своим свойствам превосходят традиционные однослойные материалы.

Суперкомпьютеры

Высокопроизводительные вычислительные системы, суперЭВМ, принято считать форпостом компьютерной техники. Они в значительной...

читать далее

Интегральная схема

В современном представлении интегральная схема - конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее...

читать далее

Нанотранзистор

При достижении размера элементов около 100 нм произойдет смена доминирующей в настоящее время КМОП-технологии...

читать далее