• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Разработки в области многослойной записи

Разработки в области многослойной записи
Введение подслоя из аморфного углерода способствует улучшению магнитных свойств и характеристик записи-воспроизведения носителя с однослойным CoCrPtTa и многослойным Co/Pd рабочими слоями. Оба вида рабочих слоев формировались магнетронным осаждением при начальном давлении не более 2,7-10~5Па и температуре подложки 270-290 °С. Основной слой Со(73%), Сг(18%), Pt(6%), Та(3%) толщиной 50 нм осаждался на слой Со(60%), Сг(40%), напыленный в свою очередь на подслой аморфного углерода, нанесенного непосредственно на стеклянную подложку. В другом виде рабочего слоя многослойная структура содержала 20 пар чередующихся слоев Co/Pd. Она формировалась также на аморфном углеродном подслое.

С увеличением толщины аморфного углеродного слоя от 0 до 30 нм коэрцитивная сила рабочего слоя с многослойной структурой Со/ Pd увеличилась со 120 до 400 кА/м. Дальнейшее увеличение его толщины не привело к заметному изменению величины коэрцитивной силы. Улучшение магнитных свойств Co/Pd позволило получить вполне приемлемое отношение сигнал-шум при воспроизведении сигнала с продольной плотностью вплоть до 16 000 бит/мм.

С введением аморфного углеродного слоя толщиной 60 нм коэрцитивная сила рабочего слоя CoCrPtTa увеличилась со 120 до 240 кА/м, при этом отношение сигнал-шум осталось в допустимых пределах при воспроизведении информации, записанной с продольной плотностью вплоть до 10 000 бит/мм.

Сравнительно высокая коэрцитивная сила (около 580 кА/м) получена для тонкопленочных многослойных образцов CoCrPt(40 нм)/CoCrPtTa(20 HM)/Ti (25 нм). Данные образцы осаждались магнетронным высокочастотным способом на стеклянные подложки. После осаждения многослойные образцы подвергались термообработке в вакууме 1,3-10~3Па при температуре 400-600°С в течение 30 мин.

Измерения показали, что при увеличении толщины титанового слоя от 5 до 25 нм коэрцитивная сила рассматриваемых многослойных образцов возрастает от 440 до 580 кА/м после термообработки при температуре 500 °С. При этом достигается относительно большое значение скважности кривой перемагничивания, составляющее 0,98. Полученные результаты представляют практический интерес для разработчиков носителей перпендикулярной магнитной записи с высокой плотностью записи информации.
Таким образом, многослойные тонкопленочные материалы обладают сравнительно большой коэрцитивной силой, что важно при повышении плотности записи информации в новых модификациях магнитных накопителей. Не менее важно и то, что многослойные магниторезистивные, материалы для чувствительных элементов тонкопленочных преобразователей по своим свойствам превосходят традиционные однослойные материалы.

Технологии и фундаментальные знания

Технология - совокупность методов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы сырья или полуфабрикатов...

читать далее

Начало развития твердотельной электроники

Толчком для развития твердотельной электроники послужили долгое время необъяснимые физические загадки, называемые...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее