• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Средства реализации высокой информационной плотности

Для записи информации с высокой плотностью необходим тонкопленочный преобразователь, магнитопровод которого изготовлен из магнитомягкого высокопроницаемого материала. Одним из таких материалов являются пленки FeCoAlO. Магнитная индукция насыщения их составляет примерно 2,4 Тл, а магнитная проницаемость (около 4000) незначительно изменяется при увеличении частоты вплоть до 1 ГГц. Удельное электрическое сопротивление пленок FeCoAlO - приблизительно 45 мкОм*см. Тонкопленочные образцы FeCoAlO осаждались из двух компактных источников:

Fe(70%),Co(30%) и Аl2O3 в атмосфере аргона на подложку Аl2O3 - TiC, охлажденную водой до 70 °С.

Наблюдения с помощью электронного микроскопа показали, что в образцах FeCoAlO преобладают анизотропные кристаллические зерна, определяющие их одноосную магнитную анизотропию. Такие тонкопленочные материалы обладают сравнительно высокими термостабильностью магнитных свойств и коррозионной стойкостью, что очень важно при их применении для высокоэффективных преобразователей запири.

Результаты экспериментальных исследований магниторезистивных материалов со спин-вентильным переходом и их применение для воспроизводящих преобразователей способствовали повышению поверхностной плотности записи информации в магнитных накопителях на жестких дисках. С использованием магниторезистивных материалов в течение последнего десятилетия демонстрировались магнитные накопители, поверхностная плотность записи информации которых существенно увеличивалась: в 1996 г. она составляла 5 Гбит/дюйм2, в 1997 г. - 8, в 1998 г. - 20,4 и в 2001 г. - 106,4 Гбит/дюйм2.

Вне всякого сомнения, успех в достижении приведенных показателей определяется внедрением магниторезистивных материалов в сочетании с высококоэрцитивным носителем, позволяющим реализовать запись с высокой плотностью при довольно низком уровне шума.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее