• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивный элемент со спин-вентильным переходом

Магниторезистивный элемент со спин-вентильным переходом
Магниторезистивный элемент со спин-вентильным переходом для воспроизведения информации обычно располагается параллельно тонкопленочным магнитным полюсам, в рабочем зазоре которых при пропускании электрического тока через тонкопленочную обмотку генерируется магнитное поле записи. В подобной конструкции высокочувствительный магниторезистивный элемент является составной частью тонкопленочного комбинированного преобразователя записи-воспроизведения.

Спин-вентильный магниторезистивный элемент имеет многослойную структуру. Он состоит из четырех основных слоев: антиферромагнитного, промежуточного магнитного, чья намагниченность фиксируется обменным полем взаимодействия с антиферромагнитным слоем, электропроводящей прослойки, обычно осаждаемой из меди, и основного магнитного слоя, который намагничивается под действием магнитного поля записи - поля рассеяния рабочего слоя носителя. Электрическое сопротивление воспроизводящего элемента минимально при параллельной ориентации намагниченности в промежуточном и основном магнитных слоях и максимально при их антипараллельной ориентации. Спин-вентильный элемент обычно имеет прямоугольную форму. Его высота и ширина меньше микрометра. Торцевые поверхности спин-вентильного элемента находятся в электрическом и магнитном контакте с элементом из магнитотвердого материала, например CoCrPt, который служит для стабилизации доменной структуры и подавления шума, связанного с неоднородным намагничиванием основного магнитного слоя воспроизводящего элемента. Толщина слоя магнитотвердого материала обычно равна суммарной толщине основных слоев воспроизводящего элемента.

Через токоведущие полосы, находящиеся в контакте с воспроизводящим элементом, пропускается задающий электрический ток. При изменении напряженности поля рассеяния рабочего слоя носителя изменяется электрическое сопротивление воспроизводящего элемента, и разность потенциалов на нем соответствует уровню сигнала воспроизведения.
Для достижения высокого разрешения многослойный спин-вентильный элемент из магнитотвердого материала располагается между магнитными экранирующими элементами.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее


в школах за рубежом и получение высшего образования
britannix.ru