• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивный элемент со спин-вентильным переходом

Магниторезистивный элемент со спин-вентильным переходом
Магниторезистивный элемент со спин-вентильным переходом для воспроизведения информации обычно располагается параллельно тонкопленочным магнитным полюсам, в рабочем зазоре которых при пропускании электрического тока через тонкопленочную обмотку генерируется магнитное поле записи. В подобной конструкции высокочувствительный магниторезистивный элемент является составной частью тонкопленочного комбинированного преобразователя записи-воспроизведения.

Спин-вентильный магниторезистивный элемент имеет многослойную структуру. Он состоит из четырех основных слоев: антиферромагнитного, промежуточного магнитного, чья намагниченность фиксируется обменным полем взаимодействия с антиферромагнитным слоем, электропроводящей прослойки, обычно осаждаемой из меди, и основного магнитного слоя, который намагничивается под действием магнитного поля записи - поля рассеяния рабочего слоя носителя. Электрическое сопротивление воспроизводящего элемента минимально при параллельной ориентации намагниченности в промежуточном и основном магнитных слоях и максимально при их антипараллельной ориентации. Спин-вентильный элемент обычно имеет прямоугольную форму. Его высота и ширина меньше микрометра. Торцевые поверхности спин-вентильного элемента находятся в электрическом и магнитном контакте с элементом из магнитотвердого материала, например CoCrPt, который служит для стабилизации доменной структуры и подавления шума, связанного с неоднородным намагничиванием основного магнитного слоя воспроизводящего элемента. Толщина слоя магнитотвердого материала обычно равна суммарной толщине основных слоев воспроизводящего элемента.

Через токоведущие полосы, находящиеся в контакте с воспроизводящим элементом, пропускается задающий электрический ток. При изменении напряженности поля рассеяния рабочего слоя носителя изменяется электрическое сопротивление воспроизводящего элемента, и разность потенциалов на нем соответствует уровню сигнала воспроизведения.
Для достижения высокого разрешения многослойный спин-вентильный элемент из магнитотвердого материала располагается между магнитными экранирующими элементами.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее