• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Четыре модификации спин-вентильных элементов

Четыре модификации спин-вентильных элементов
В зависимости от взаимного расположения тонкопленочных слоев различают четыре основных модификации спин-вентильных магниторезистивных элементов. Первая модификация самая простая. Она включает четыре последовательно напыленных слоя: основного магнитного, электропроводящей прослойки, промежуточного магнитного и антиферромагнитного слоев. В этой модификации основной магнитный слой расположен внизу и сопряжен с подслоем, осажденным непосредственно на подложку.

Во второй модификации элемента, состоящего из десяти слоев, основной магнитный слой расположен вверху многослойной структуры. Такой магниторезистивный элемент формируется при последовательном осаждении слоев: антиферромагнитного, нижнего промежуточного магнитного, рутениевого, верхнего промежуточного магнитного, нижнего электропроводящего, основного магнитного и верхнего электропроводящего.

Третья модификация магниторезистивного элемента отличается от второй тем, что поверх верхнего электропроводящего слоя напыляется оксидированный зеркальный слой из золота или серебра.

Четвертую модификацию принято считать двойной зеркальной. В ней дополнительно осаждается зеркальный слой на верхний промежуточный магнитный слой, поверх которого напыляется еще один промежуточный слой, а затем осаждаются те же слои, что и в третьей модификации.

Все слои названных модификаций формировались на стеклянные или силиконовые подложки при сверхвысоком начальном движении, не превышающем 2-10-7Па. Осаждение производилось во внешнем магнитном поле напряженностью около 7,9 кА/м для создания наведенной одноосной анизотропии. Магнитные слои осаждались из материалов NiFe, CoFe и CoFeB, а антиферромагнитные - из PdPtMn.

Сравнительно высокую поверхностную информационную плотность - около 106,4 Гбит/дюйм2 - удалось получить при воспроизведении информации с помощью магниторезистивного преобразователя четвертой модификации. Высокочувствительный элемент такого преобразователя имеет многослойную структуру: связующий подслой /PdPtMn/CoFe/Ru/CoFe/зеркальный слой/Cu/CoFe/NiFe/ Cu/зеркальный слой. Верхний и нижний экранирующие элементы формировались электроосаждением пермаллоя. Величина зазора, задающего ширину дорожки воспроизведения, составляла 0,07 мкм. Относительное магнетосопротивление магниторезистивного спин- вентильного элемента - около 12,4 %. Тонкопленочные элементы для записи сигнала осаждались из пермаллоя с высокой магнитной индукцией насыщения. Запись осуществлялась на магнитном носителе на основе CoCrPt.

Современные накопители на магнитном носителе отражают передовой опыт развития микроэлектронных технологий, в недрах которых зарождаются нанотехнологии. Постоянно совершенствуется технология производства магнитных накопителей на жестких дисках, способных хранить сотни и даже тысячи Гигабайт информации. Объем хранимой в таких накопителях информации и их потенциальные возможности не могут не удивлять: если в 2000 г. объем хранимой в них информации составил около 3 Эбит, то, по оценкам специалистов, в 2005 г. он приблизится к 33 Эбит, а в 2010 г. - к 170 Эбит. Таковы поистине гигантские масштабы развития современной технологии накопления информации.

Суперкомпьютеры

Высокопроизводительные вычислительные системы, суперЭВМ, принято считать форпостом компьютерной техники. Они в значительной...

читать далее

Интегральная схема

В современном представлении интегральная схема - конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее...

читать далее

Нанотранзистор

При достижении размера элементов около 100 нм произойдет смена доминирующей в настоящее время КМОП-технологии...

читать далее