• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Четыре модификации спин-вентильных элементов

Четыре модификации спин-вентильных элементов
В зависимости от взаимного расположения тонкопленочных слоев различают четыре основных модификации спин-вентильных магниторезистивных элементов. Первая модификация самая простая. Она включает четыре последовательно напыленных слоя: основного магнитного, электропроводящей прослойки, промежуточного магнитного и антиферромагнитного слоев. В этой модификации основной магнитный слой расположен внизу и сопряжен с подслоем, осажденным непосредственно на подложку.

Во второй модификации элемента, состоящего из десяти слоев, основной магнитный слой расположен вверху многослойной структуры. Такой магниторезистивный элемент формируется при последовательном осаждении слоев: антиферромагнитного, нижнего промежуточного магнитного, рутениевого, верхнего промежуточного магнитного, нижнего электропроводящего, основного магнитного и верхнего электропроводящего.

Третья модификация магниторезистивного элемента отличается от второй тем, что поверх верхнего электропроводящего слоя напыляется оксидированный зеркальный слой из золота или серебра.

Четвертую модификацию принято считать двойной зеркальной. В ней дополнительно осаждается зеркальный слой на верхний промежуточный магнитный слой, поверх которого напыляется еще один промежуточный слой, а затем осаждаются те же слои, что и в третьей модификации.

Все слои названных модификаций формировались на стеклянные или силиконовые подложки при сверхвысоком начальном движении, не превышающем 2-10-7Па. Осаждение производилось во внешнем магнитном поле напряженностью около 7,9 кА/м для создания наведенной одноосной анизотропии. Магнитные слои осаждались из материалов NiFe, CoFe и CoFeB, а антиферромагнитные - из PdPtMn.

Сравнительно высокую поверхностную информационную плотность - около 106,4 Гбит/дюйм2 - удалось получить при воспроизведении информации с помощью магниторезистивного преобразователя четвертой модификации. Высокочувствительный элемент такого преобразователя имеет многослойную структуру: связующий подслой /PdPtMn/CoFe/Ru/CoFe/зеркальный слой/Cu/CoFe/NiFe/ Cu/зеркальный слой. Верхний и нижний экранирующие элементы формировались электроосаждением пермаллоя. Величина зазора, задающего ширину дорожки воспроизведения, составляла 0,07 мкм. Относительное магнетосопротивление магниторезистивного спин- вентильного элемента - около 12,4 %. Тонкопленочные элементы для записи сигнала осаждались из пермаллоя с высокой магнитной индукцией насыщения. Запись осуществлялась на магнитном носителе на основе CoCrPt.

Современные накопители на магнитном носителе отражают передовой опыт развития микроэлектронных технологий, в недрах которых зарождаются нанотехнологии. Постоянно совершенствуется технология производства магнитных накопителей на жестких дисках, способных хранить сотни и даже тысячи Гигабайт информации. Объем хранимой в таких накопителях информации и их потенциальные возможности не могут не удивлять: если в 2000 г. объем хранимой в них информации составил около 3 Эбит, то, по оценкам специалистов, в 2005 г. он приблизится к 33 Эбит, а в 2010 г. - к 170 Эбит. Таковы поистине гигантские масштабы развития современной технологии накопления информации.

Компьютерная сеть

Возможности персонального компьютера существенно расширяются за счет использования компьютерных сетей...

читать далее

Перспективные технологии

До недавнего времени микроэлектронная технология основывалась на удалении лишнего материала из заготовки подобно тому...

читать далее

Транзистор в виде атомного реле

Весьма интересна идея создания своеобразного транзистора в виде атомного реле, основанная на том, что минимальными...

читать далее