• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Реализация перпендикулярной записи

В рабочем слое носителя при записи с перпендикулярным намагничиванием магнитные моменты в смежных областях противоположно ориентированы. Такие области обычно разделяются границей, на которой осуществляется переход ориентации вектора намагниченности из одного направления в противоположное. Наличие или отсутствие переходов намагниченности соответствует закодированным сигналам цифровой информации. Аналогичная картина характерна и для магнитной записи с продольным намагничиванием. Однако ориентация магнитных моментов в смежных намагниченных областях плоскости носителя приводит к тому, что при увеличении информационной плотности записи и соответствующем уменьшении размеров областей с одинаковым направлением магнитных моментов нельзя достичь существенного уменьшения области перехода намагниченности, что ограничивает возможность увеличения информационной плотности. Причина заключается в увеличении напряженности размагничивающего поля при уменьшении области перехода намагниченности. Совершенно другой характер изменения поля размагничивания в случае записи с перпендикулярным намагничиванием: размагничивающий эффект уменьшается, когда переходы намагниченности размещаются ближе друг к другу, что в конечном результате позволяет существенно увеличить информационную плотность записи. Зависимость напряженности приведенного размагничивающего поля Hdn для рабочего слоя магнитного носителя при записи с перпендикулярным и продольным намагничиванием от отношении длины перехода а к толщине рабочего слоя ∂ приведена на рис. 3.2.



Рис 3.2. Характеристики размагничивающего эффекта для носителя записи с перпендикулярным (1) и продольным (2) намагничиванием


Применение вычислительных средств

Возможность сочетания ЭВМ с существующими и вновь создаваемыми машинами и системами машин освобождает человека...

читать далее

Совершенствование тонкопленочной технологии в течение последних десятилетий позволило разместить все большее...

читать далее

Туннельно-резонансные диоды

К наноэлектронным приборам относятся туннельно-резонансные диоды. По структуре они напоминают своеобразный сэндвич...

читать далее