• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Перспектива развития перпендикулярной записи

Перспектива развития перпендикулярной записи
Развитию перпендикулярной магнитной записи способствовала разработка тонкопленочных магниторезистивных преобразователей с чувствительными элементами с гигантским туннельным магнето- сопротивлением, позволяющими воспроизводить сигнал, записанный с довольно высокой поверхностной плотностью. Изготовление таких элементов относительно небольшой ширины - очень сложная процедура - может быть основано только на самых последних достижениях современной тонкопленочной технологии.

С повышением плотности записи информации необходимо увеличивать и коэрцитивную силу рабочего слоя носителя, а для его намагничивания в процессе записи нужны магнитные преобразователи, генерирующие сравнительно сильное магнитное поле записи, которое можно создать с помощью однополюсных тонкопленочных преобразователей при наличии замыкающего слоя в рабочем слое носителя. Приблизительная оценка показывает, чтобы получить поверхностную плотность записи 1 Тбит/дюйм2, коэрцитивная сила рабочего слоя носителя должна приближаться к 950 кА/м.

Одна из перспективных модификаций однополюсных тонкопленочных преобразователей для записи информации с высокой плотностью включает основной полюс, формирующий остронаправленное поле записи, плоскопараллельную тонкопленочную обмотку и замыкающие магнитный поток полюсные наконечники, плоскости которых параллельны плоскостям основного полюса и обмотки. Применение такого преобразователя существенно повышает эффективность записи. При этом записанные сигналы не искажаются даже при воздействии внешнего магнитного поля напряженностью вплоть до 1600 А/м. Тонкопленочные элементы записи данного преобразователя сочетаются с магниторезистивными элементами воспроизведения. Сравнительно небольшая ширина записывающего элемента (около 150 нм) позволяет получить относительно высокую поперечную плотность записи информации. Наблюдения с помощью электронного микроскопа показывают, что переходы намагниченности в рабочем слое носителя при продольной плотности записи около 16 000 бит/мм вполне различимы.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее