• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследования магнитных накопителей

Исследования магнитных накопителей
На начальном этапе развития перпендикулярной магнитной записи использовался носитель преимущественно с кобальт-хромовым рабочим слоем и гексагональной плотно упакованной структурой. Однако коэрцитивная сила такого рабочего слоя сравнительно мала, что препятствовало записи информации с более высокой плотностью.

В последнее время исследуются магнитные накопители с рабочим слоем CoCrPt, осажденном на предварительно напыленном слое титана либо Ti/CoZr. Такая многослойная структура обладает неплохими магнитными и анизотропными свойствами. Например, для многослойного образца CoCrPt/Ti коэрцитивная сила достигает около 400 кА/м. Данное значение соответствуют толщине слоя CoCrPt, равной примерно 20 нм.

Для повышения плотности записи информации представляют интерес многослойные материалы Co/Pd и тонкие пленки FePt и CoPt. Например, коэрцитивная сила тонкопленочных материалов FePt равна чрезвычайно большой величине - около 792 кА/м. Однако такие пленки осаждаются на весьма дорогостоящие монокристаллические подложки MgO и для формирования в них упорядоченной структуры необходима высокая температура обработки - выше 600 °С.

Предполагается, что применение новых технологических приемов позволит реализовать потенциальные возможности носителей с рабочими слоями Co/Rd и FePt при создании магнитных накопителей с поверхностной плотностью информации 1 Тбит/дюйм2.

С применением магнитного носителя с перпендикулярной анизотропией, состоящего из двух магнитных слоев - основного Со(66%), Cr(20%), Nb(4%), Pt(10%) и магнитомягкого Ni(80%), Fe(15%), Nb(5%), - удалось записать информацию с довольно высокой плотностью. Для записи использовался шестивитковый преобразователь с тонкопленочным магнитопроводом из материала FeSiN. Воспроизведение производилось с помощью магниторезистивного преобразователя с гигантским магнетосопротивлением.

Между основным и дополнительным слоями магнитного носителя напылялся промежуточный слой титана. Все слои формировались магнетронным способом при различных технологических условиях.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее