• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Поле рассеяния тонкопленочных и массивных головок

Поле рассеяния - одна из важнейших характеристик магнитных головок. Массивная и тонкопленочная головки имеют различную структуру, которая и обусловливает ту или иную конфигурацию поля рассеяния. Картины его распределения для обеих головок похожи (рис. 4.7). Однако тонкопленочная головка характеризуется большим градиентом поля рассеяния - в рабочем зазоре она имеет более крутые фронтальную и спадающую области зависимости Нх =f(x). Горизонтальная составляющая Нх массивной головки достигает максимума в центре рабочего зазора и сравнительно медленно спадает по обе стороны от зазора, асимптотически приближаясь к нулю на сравнительно большом расстоянии от него (рис. 4.7, а, в).

В тонкопленочной магнитной головке продольная составляющая Я также достигает максимума в центре зазора, однако при этом она быстрее спадает, проходит через нуль и достигает минимумов у внешних краев полюсных наконечников, а затем асимптотически снизу приближается к нулю (см. рис. 4.7, б, г), т.е. горизонтальная составляющая напряженности поля рассеяния тонкопленочной головки у периферийных краев пленочных полюсных наконечников вблизи рабочего зазора имеет отрицательные значения.



Пространство в окрестности полюсных наконечников можно условно разделить на области с положительными и отрицательными напряженностями поля рассеяния (рис. 4.7, а—г). В массивной головке отрицательные области расположены относительно далеко от рабочего зазора и поэтому не оказывают существенного влияния на создаваемое в нем поле рассеяния. Отрицательное поле тонкопленочной головки может оказать нежелательное размагничивающее воздействие на магнитный носитель, что влечет за собой искажение сигнала, особенно при высокой плотности записи информации, когда под действием отрицательного поля происходит раздвоение максимумов, приводящее к затруднению процесса воспроизведения.

Толщина тонкопленочных полюсных наконечников мала по сравнению с толщиной наконечников обычных массивных головок, которые приближенно можно считать полубесконечными. Поэтому в магнитопроводах тонкопленочной и массивной головок возникают размагничивающие поля, приводящие к различным распределениям полей рассеяния магнитных головок (рис. 4.7, д, е).

Таким образом, принципиальное различие распределения полей рассеяния массивных и тонкопленочных магнитных головок обусловливается главным образом формой и размерами их полюсных наконечников.

Будущее магнитных носителей

В развитии современного общества важнейшую роль играют накопление и рациональное потребление информации. Суммарное...

читать далее

Микро- и наноэлектроника

Характерная особенность современного естествознания - рождение новых, быстро развивающихся наук на базе фундаментальных...

читать далее

Предполагается, что КМОП-схемы могут стать основой для элементной базы даже высокоскоростных микропроцессоров...

читать далее